[發明專利]超結半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201710931499.1
• 申請日: 2017-10-09
• 公開（公告）號: CN109637969A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 鐘圣榮
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/761
• 分類號: H01L21/761;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種超結半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

在第一型襯底上制備多個超結結構，多個所述超結結構沿所述第一型襯底的橫向分為多個相互間隔的芯片區域；

至少在相鄰的所述芯片區域之間的間隔區域表面形成第一型摻雜層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述第一型襯底上制備多個超結結構之后，還包括：

將制備有多個超結結構的第一型襯底入庫存儲；

在所述至少在相鄰的所述芯片區域之間的間隔區域表面形成第一型摻雜層之后，還包括：

在所述第一型摻雜層上制備表面半導體器件結構。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在第一型襯底上制備多個超結結構，包括：

在所述第一型襯底上形成第一型外延層；

沿所述第一型襯底的橫向在所述第一型外延層中形成多個摻雜本體，各所述摻雜本體沿所述第一型襯底的縱向具有多層層疊的導電類型摻雜區；

經過處理使各所述摻雜本體的多層導電類型摻雜區內的摻雜雜質在所述第一型外延層中擴散。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述至少在相鄰的所述芯片區域之間的區域表面形成第一型摻雜層，包括：

在各摻雜本體中位于最上層的各所述導電類型摻雜區的表面及位于相鄰的摻雜本體之間的第一型外延層的表面生長第一型摻雜層。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述至少在相鄰的所述芯片區域之間的區域表面形成第一型摻雜層，包括：

在每間隔預設個所述摻雜本體之間的間隔區域表面注入第一型雜質形成所述第一型摻雜層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述在每間隔預設個所述摻雜本體之間的間隔區域表面注入第一型雜質形成所述第一型摻雜層，包括：

在各所述摻雜本體的表面形成光刻膠；

對所述光刻膠進行處理，形成光刻膠保留區域和光刻膠去除區域，所述光刻膠保留區域覆蓋預設個所述摻雜本體，所述光刻膠去除區域對應各所述間隔區域；

以所述光刻膠保留區域的光刻膠為掩膜，在各所述間隔區域注入第一型雜質形成所述第一型摻雜層；

去除光刻膠保留區域的光刻膠。

7.一種超結半導體器件，其特征在于，包括：

第一型襯底；

所述第一型襯底上形成有多個超結結構，多個所述超結結構沿所述第一型襯底的橫向包括多個相互間隔的芯片區域；

至少在相鄰的所述芯片區域之間的間隔區域表面形成有第一型摻雜層。

8.根據權利要求7所述的器件，其特征在于，多個所述超結結構包括：

沿所述第一型襯底的橫向形成有多個摻雜本體，各所述摻雜本體沿所述第一型襯底的縱向具有多層層疊的導電類型摻雜區；

各所述摻雜本體的多層導電類型摻雜區內的摻雜雜質在所述第一型外延層中擴散。

9.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，包括：

在各摻雜本體中位于最上層的各所述導電類型摻雜區的表面及位于相鄰的摻雜本體之間的第一型外延層的表面生長有所述第一型摻雜層。

10.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，包括：

在每間隔預設個所述摻雜本體之間的間隔區域表面注入有第一型雜質以作為所述第一型摻雜層。