[發明專利]半導體裝置的量測方法

有效

• 申請號: 201710914496.7
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN109216221B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 謝鴻志;吳鍇;陳彥良;陳開雄;鄭博中;柯志明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種半導體裝置的量測方法，包括：

使用一第一孔隙板量測一組合光柵的X軸衍射，其中所述第一孔隙板具備一第一對輻射透射區域，且所述第一對輻射透射區域沿著一第一直徑軸線設置并且被設置在對準所述第一孔隙板的中心的一光軸的相對側上；以及

使用與所述第一孔隙板互補的一第二孔隙板測量所述組合光柵的Y軸衍射，其中所述第二孔隙板具備一第二對輻射透射區域，且所述第二對輻射透射區域沿著一第二直徑軸線設置并且被設置在所述光軸的相對側上，其中所述第二直徑軸線垂直于所述第一直徑軸線。

2.如權利要求1的半導體裝置的量測方法，還包括：

基于所述組合光柵的被量測到的所述X軸衍射和被測量到的所述Y軸衍射，判定所述組合光柵的一覆蓋誤差。

3.如權利要求1的半導體裝置的量測方法，其中所述組合光柵包括一線型光柵或一區段型光柵。

4.如權利要求3的半導體裝置的量測方法，其中所述組合光柵包括所述區段型光柵，其中一區段臨界尺寸為330nm，其中沿著Y軸的一區段間距為500nm，且沿著X軸的一主間距為600nm。

5.如權利要求1的半導體裝置的量測方法，還包括：

在測量所述組合光柵的所述Y軸衍射之后，使用與所述第一孔隙板和所述第二孔隙板互補的一第三孔隙板同時測量所述組合光柵的一組合X軸衍射和Y軸衍射，其中所述第三孔隙板具有一第三對輻射透射區域，且所述第三對輻射透射區域沿著一第三直徑軸線設置以及設置在所述光軸的相對側上，其中所述第三直徑軸線被定向以與所述第一直徑軸線和所述第二直徑軸線的每一者具有45度的角度偏移。

6.如權利要求5的半導體裝置的量測方法，還包括：

基于所述組合光柵的被測量的所述X軸衍射、被測量的所述Y軸衍射以及被測量的所述組合X軸衍射和Y軸衍射，判定所述組合光柵的一覆蓋誤差。

7.如權利要求1的半導體裝置的量測方法，其中所述組合光柵的被測量到的所述X軸衍射包括一+1級衍射信號和一-1級衍射信號，其中所述+1級衍射信號和所述-1級衍射信號是由所述第一對輻射透射區域所提供。

8.如權利要求1的半導體裝置的量測方法，其中所述組合光柵的被測量到的所述Y軸衍射包括一+1級衍射信號和一-1級衍射信號，其中所述+1級衍射信號和所述-1級衍射信號是由所述第二對輻射透射區域所提供。

9.如權利要求5的半導體裝置的量測方法，其中所述組合光柵的被測量到的所述組合X軸衍射和Y軸衍射包括對應于一X軸方向元件和一Y軸方向元件的每一者的一+1級衍射信號，以及對應于所述X軸方向元件和所述Y軸方向元件的每一者的一-1級衍射信號，其中所述+1級衍射信號和所述-1級衍射信號是由所述第三對輻射透射區域所提供。

10.一種量測操作方法，包括：

提供一計量裝置；

將一第一孔隙板耦接至所述計量裝置，其中所述第一孔隙板具有一第一對輻射透射區域，且所述第一對輻射透射區域沿著一第一直徑軸線設置并且被設置在一光軸的相對側上；

執行一第一衍射測量以在所述計量裝置的一感測器上形成一第一衍射圖案，其中所述第一衍射圖案對應于一組合光柵的一X軸方向元件；

將一第二孔隙板耦接至所述計量裝置，其中所述第二孔隙板具有一第二對輻射透射區域，且所述第二對輻射透射區域沿著一第二直徑軸線設置并且被設置在一光軸的相對側上，其中所述第二直徑軸線垂直于所述第一直徑軸線；以及

執行一第二衍射測量以在所述計量裝置的所述感測器上形成一第二衍射圖案，其中所述第二衍射圖案對應于所述組合光柵的一Y軸方向元件。

11.如權利要求10所述的量測操作方法，還包括：

提供所述第一孔隙板和所述第二孔隙板，其中所述第一孔隙板和所述第二孔隙板包括金屬和金屬合金中的至少一種。