[發明專利]用于絕緣柵雙極晶體管的制造方法在審
| 申請號： | 201710914105.1 | 申請日： | 2017-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN109599334A | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 曾雄;徐凝華;賀新強;李亮星;馮加云;馮會雨;程崛 | 申請（專利權）人： | 株洲中車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿華聯合知識產權代理有限公司 11611 | 代理人： | 劉華聯 |
| 地址： | 412001 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 絕緣柵雙極晶體管 焊膏 安裝襯板 制造 襯板 升高 合格率 生產 | ||
1.一種用于絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其包括以下步驟：
在相互間隔開的兩個電阻安裝襯板的至少一部分上分別設置焊膏；
將電阻的兩端分別放置到設置在所述兩個安裝襯板的至少一部分上的所述焊膏上；以及
升高溫度，以通過焊膏將所述電阻的兩端分別與所述兩個電阻安裝襯板連接在一起。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在升高溫度時，將所述溫度升高至所述焊膏中的助焊劑炭化的程度。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，先將所述溫度升高至第一溫度保持一段時間，再升高至第二溫度以使所述焊膏中的助焊劑炭化，所述第二溫度高于所述第一溫度。
4.根據權利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述溫度被升高至從280℃到400℃的范圍內。
5.根據權利要求1到4中任一項所述的制造方法，其特征在于，在單個電阻安裝襯板上設置的所述焊膏的面積為電阻可焊區面積的1/2至2倍，焊膏厚度為電阻高度的1/2至2倍。
6.根據權利要求1到5中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述焊膏中包含的助焊劑的量在5wt％至20wt％之間的范圍內。
7.根據權利要求1到6中任一項所述的制造方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在升高溫度之前，在與所述兩個電阻安裝襯板間隔開的芯片安裝襯板上設置焊片；以及
將芯片放置到所述芯片安裝襯板上；
其中，在升高溫度時，將所述溫度升高至焊片能熔化的程度，以通過所述焊片將所述芯片和所述芯片安裝襯板連接在一起。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述芯片安裝襯板與所述焊膏之間的距離不小于0.5cm。
9.根據權利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在升高溫度之后，涂覆絕緣層，所述絕緣層至少覆蓋所述芯片和所述芯片安裝襯板。
10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述絕緣層還覆蓋所述電阻安裝襯板和所述電阻。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
