[發明專利]具有耐磨氧化鋁鍍膜層的鋼化玻璃的制備方法在審
| 申請號: | 201710909096.7 | 申請日: | 2017-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107793041A | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 周光惠;夏永光;彭軍 | 申請(專利權)人: | 廣東星弛光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C03C17/34 | 分類號: | C03C17/34 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標事務所有限公司44215 | 代理人: | 劉克寬 |
| 地址: | 523330 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 耐磨 氧化鋁 鍍膜 鋼化玻璃 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及鋼化玻璃鍍膜技術領域,具體涉及具有耐磨氧化鋁鍍膜層的鋼化玻璃的制備方法。
背景技術
隨著電子產品的飛速發展,智能手機等移動終端對玻璃面板的耐磨特性和透光特性要求越來越高。對玻璃面板進行高硬度、高透過率的鍍膜將是實現高防刮劃、高透過率、低成本智能手機面板的有效途徑。目前,作為高硬鍍膜技術而廣泛研究和應用的是類金剛石碳膜,它具有硬度高、化學惰性、低摩擦系數等優點。根據制備條件的不同,報道的硬度值在(3~60GPa)。但是在紅外區具有很高的透過率,但是在可見光區域通常是吸收的,只能是一種半透明的薄膜,不能滿足智能手機面板對透過率的要求。據文獻報道,氧化鋁的多晶薄膜具有與單晶藍寶石相近的硬度,而具有高度熱穩定性氧化鋁多晶結構的制備溫度一般需要1000度左右的高溫,但是手機鋼化玻璃的溫度一旦高于500度,其鋼化特性將被破壞而失效。
發明內容
針對現有技術存在上述技術問題,本發明的目的在于提供一種高硬度、防刮、耐磨以及透光率好的具有耐磨氧化鋁鍍膜層的鋼化玻璃的制備方法。
為實現上述目的,本發明提供以下技術方案:
提供具有耐磨氧化鋁鍍膜層的鋼化玻璃的制備方法,包括以下步驟:
a)將鋼化玻璃襯底依次采用有機溶劑、去離子水清洗,然后烘干;
b)利用MOCVD技術,以純度為99.995%以上的二茂鎂為鎂源,高純氧或者去離子水為氧源,在一定反應溫度下,在鋼化玻璃襯底上生長具有多晶結構的氧化鎂薄膜層;
c)利用ALD技術,以純度為99.995%以上的三甲基鋁為鋁源,以氮氣或氬氣為載氣,在一定反應溫度下,在所述氧化鎂薄膜層上外延生長形成氧化鋁薄膜層;
d)在所述氧化鋁薄膜層的表面均勻涂覆二氧化鈦溶膠,然后固化后形成低折射率的二氧化鈦增透光鍍膜層。
其中,步驟b中,反應溫度為300~400℃,所述氧化鎂薄膜層的厚度為10~20nm。
其中,步驟b中,反應溫度為250~350℃,所述氧化鋁薄膜層的厚度為60~150nm。
其中,步驟b中,步驟d中,所述二氧化鈦增透光鍍膜層的厚度為100~150nm。
其中,步驟d中,所述固化的溫度為300~350℃。
其中,步驟d中,所述二氧化鈦增透光鍍膜層的折光率為1.35~1.55。
其中,步驟a中,所述有機溶劑為乙醇、異丙醇、乙二醇、乙二醇雙乙醚、丁二醇單乙醚和丙酮中的至少一種。
本發明的有益效果:
本發明的具有耐磨氧化鋁鍍膜層的鋼化玻璃的制備方法,包括步驟:a)將鋼化玻璃襯底依次采用有機溶劑、去離子水清洗,然后烘干;b)利用MOCVD技術,以純度為99.995%以上的二茂鎂為鎂源,高純氧或者去離子水為氧源,在一定反應溫度下,在鋼化玻璃襯底上生長具有多晶結構的氧化鎂薄膜層;c)利用ALD技術,以純度為99.995%以上的三甲基鋁為鋁源,以氮氣或氬氣為載氣,在一定反應溫度下,在所述氧化鎂薄膜層上外延生長形成氧化鋁薄膜層;d)在所述氧化鋁薄膜層的表面均勻涂覆二氧化鈦溶膠,然后固化后形成低折射率的二氧化鈦增透光鍍膜層。與現有技術相比,本發明采用MOCVD技術,在玻璃襯底上生長具有多晶結構的氧化鎂薄膜層,然后采用ALD沉積技術在較低溫度下,在氧化鎂薄膜層上外延生長形成氧化鋁薄膜層,最后在氧化鋁薄膜層制備低折射率的二氧化鈦增透光鍍膜層。上述過程中,所形成的氧化鎂薄膜和氧化鋁薄膜均具有高致密性,可增強鋼化玻璃表面的硬度,提高耐刮劃、耐磨特性,而且薄膜的均勻性好、厚度可精確控制;最上層的低折射率的二氧化鈦增透光鍍膜層具有低折射率,大大提高鋼化玻璃的透光率。此外,本發明的整個方法簡單、易于操作,更好地滿足連續批量化的生產需求。
具體實施方式
以下結合具體實施例對本發明進行詳細說明。
實施例1:
具有耐磨氧化鋁鍍膜層的鋼化玻璃的制備方法,包括以下步驟:
a)將鋼化玻璃襯底依次采用有機溶劑、去離子水清洗,然后烘干;有機溶劑為乙醇和異丙醇按照體積比1:1配制的混合液;
b)利用MOCVD技術,以純度為99.995%以上的二茂鎂為鎂源,高純氧或者去離子水為氧源,在300℃反應溫度下,在鋼化玻璃襯底上生長具有多晶結構的氧化鎂薄膜層;
c)利用ALD技術,以純度為99.995%以上的三甲基鋁為鋁源,以氮氣或氬氣為載氣,在250℃反應溫度下,在氧化鎂薄膜層上外延生長形成氧化鋁薄膜層;
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