[發明專利]探針組件及其電容式探針有效
| 申請號: | 201710905039.1 | 申請日: | 2017-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN109581003B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 謝智鵬;蘇偉志 | 申請(專利權)人: | 中華精測科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/067 | 分類號: | G01R1/067;G01R1/073 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探針 組件 及其 電容 | ||
本發明公開一種探針組件及其電容式探針。電容式探針包括一探針結構、一導電結構以及一介電結構。探針結構具有一第一端部、一對應于第一端部的第二端部、一連接在第一端部與第二端部之間的連接部。導電結構設置在探針結構的一側。介電結構設置在探針結構與導電結構之間。借此,本發明探針組件及其電容式探針的阻抗值能夠被優化。
技術領域
本發明涉及一種探針組件及其電容式探針,尤其涉及一種應用于晶圓探針卡的探針組件及其電容式探針。
背景技術
首先,現有技術中系統單芯片(System on Chip,SoC)于高速信號測試時,常會面臨核心電源于使用頻率點的目標阻抗值過高的問題,而導致阻抗值過高的原因有探針卡(Probe Card)、轉接襯底(substrate)、探針座及晶圓探針等因素。因此,在現行的解決方式下,大多是聚焦于轉接襯底的優化,也就是通過適量的去耦合電容來改善供電網路(powerdelivery network,PDN)的目標阻抗值。然而,此種優化方式雖然能夠使得轉接襯底的阻抗值達到標準,但仍然會因為轉接襯底距離待測端較遠的因素,而無法有效掌控整體供電網路。
因此,如何提出一種能因應移動裝置所需高速信號系統單芯片應用測試時,有效降低諧振頻率點的電源阻抗且提升供電網路的效能的探針組件及其電容式探針,以克服上述的缺陷,已然成為本領域技術人員所欲解決的重要課題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于,針對現有技術的不足提供一種探針組件及其電容式探針,以有效降低諧振頻率點的電源阻抗且提升供電網路的效能。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的其中一技術方案是,提供一種電容式探針,其包括一探針結構、一導電結構以及一介電結構。所述探針結構具有一第一端部、一對應于所述第一端部的第二端部、一連接在所述第一端部與所述第二端部之間的連接部。所述導電結構設置在所述探針結構的一側。所述介電結構設置在所述探針結構與所述導電結構之間。
更進一步地,所述導電結構具有一容置空間,所述介電結構設置在所述探針結構的所述第二端部上,且所述探針結構的第二端部與所述介電結構設置在所述容置空間中。
更進一步地,所述探針結構的所述第二端部具有一對應于所述介電結構的裸露部,且所述探針結構通過所述裸露部而電性連接于所述導電結構,其中,所述介電結構具有一與所述探針結構相互接觸的第一表面以及一與所述導電結構相互接觸的第二表面。
更進一步地,所述探針結構與所述導電結構彼此電性絕緣,且所述介電結構具有一與所述探針結構相互接觸的第一表面以及一與所述導電結構相互接觸的第二表面。
更進一步地,所述導電結構為一套筒狀的結構。
更進一步地,所述探針結構的電阻率小于5x 102Ωm。
更進一步地,所述導電結構的電阻率小于5x 102Ωm。
更進一步地,所述介電結構的電阻率大于或等于108Ωm。
本發明所采用的另外一技術方案是,提供一種探針組件,其包括一轉接載板、一探針承載座以及多個電容式探針。所述轉接載板具有多個容置槽。所述探針承載座設置在所述轉接載板上。多個所述電容式探針設置在所述承載座上,且多個所述電容式探針分別設置在多個所述容置槽之中,其中,每一個所述電容式探針包括一探針結構、一導電結構以及一介電結構。其中,每一個所述電容式探針的所述導電結構電性連接于所述轉接載板,所述探針結構具有一第一端部、一對應于所述第一端部的第二端部、一連接在所述第一端部與所述第二端部之間的連接部,所述導電結構設置在所述探針結構的一側,且所述介電結構設置在所述探針結構與所述導電結構之間。
更進一步地,所述導電結構具有一容置空間,所述介電結構設置在所述探針結構的所述第二端部上,且所述探針結構的第二端部及所述介電結構設置在所述容置空間中。
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