[發(fā)明專利]沉積裝置及利用其的有機物沉積方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710904054.4 | 申請日: | 2017-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107881464B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高晙赫;姜敏求 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 裝置 利用 有機物 方法 | ||
1.沉積裝置,包括:
掩模單元;
第一板,布置在所述掩模單元上并且與所述掩模單元隔開;以及
施壓單元,布置成獨立于所述第一板,并且對目標襯底的表面的一部分區(qū)域施壓,
其中,所述第一板包括施壓固定部,所述施壓固定部以導(dǎo)軌形狀布置在所述第一板的一表面上并且供所述施壓單元聯(lián)接,以及所述施壓單元配置成沿著所述施壓固定部在所述第一板的所述一表面上移動。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,
所述施壓固定部包括彼此相鄰地并排布置的第一引導(dǎo)部和第二引導(dǎo)部,
其中,所述第一引導(dǎo)部包括:
第一引導(dǎo)壁,位于所述第一板的一表面上;以及
第一引導(dǎo)蓋,從所述第一引導(dǎo)壁延伸,并且從所述第一引導(dǎo)壁在第一方向上彎曲;
所述第二引導(dǎo)部包括:
第二引導(dǎo)壁,位于所述第一板的一表面上;以及
第二引導(dǎo)蓋,從所述第二引導(dǎo)壁延伸,并且從所述第二引導(dǎo)壁在與所述第一方向相反的第二方向上彎曲。
3.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置,其中,
所述第一引導(dǎo)蓋與所述第二引導(dǎo)蓋在彼此相對的方向上布置成平行于所述第一板的一表面。
4.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置,其中,
所述施壓單元通過由所述第一引導(dǎo)部和所述第二引導(dǎo)部包圍的空間聯(lián)接至所述施壓固定部。
5.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置,其中,
所述第一引導(dǎo)蓋與所述第二引導(dǎo)蓋彼此隔開,并且所述第一引導(dǎo)蓋與所述第二引導(dǎo)蓋之間的距離小于所述第一引導(dǎo)壁與所述第二引導(dǎo)壁之間的距離。
6.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,
所述施壓固定部布置成與相鄰的施壓固定部以8mm至20mm的間隔隔開。
7.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置,其中,所述施壓單元包括:
本體部,與所述第一板部分地接觸;
聯(lián)接部,從所述本體部延伸并聯(lián)接至所述第一引導(dǎo)部和所述第二引導(dǎo)部;
平坦控制部,與所述目標襯底的一表面接觸;以及
支承臺和彈性部,設(shè)置在所述本體部與所述平坦控制部之間,并且在所述第一板的表面上方使所述平坦控制部朝著所述目標襯底的方向突出。
8.如權(quán)利要求7所述的沉積裝置,其中,所述施壓單元還包括:
施壓支承部,布置于所述支承臺與所述平坦控制部之間,
其中,所述支承臺連接所述本體部與所述施壓支承部,并且形成為在所述第一板的表面上方使所述平坦控制部朝著所述目標襯底的一表面的方向突出。
9.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,
所述施壓單元的高度形成為100um至300um的范圍。
10.沉積裝置,包括:
掩模單元;
第一板,布置在所述掩模單元上并且與所述掩模單元隔開;
施壓單元,布置成獨立于所述第一板,并且對目標襯底的表面的一部分區(qū)域施壓;以及
施壓固定部,以導(dǎo)軌形狀布置在所述第一板的一表面上并且供所述施壓單元聯(lián)接,
其中,所述施壓固定部包括:
第一引導(dǎo)槽,在所述第一板上沿著一個方向布置;
第二引導(dǎo)槽,布置成從所述第一引導(dǎo)槽的側(cè)面朝著至少任意一個方向延伸;以及
聯(lián)接槽,與所述第二引導(dǎo)槽部分地連接,并且布置在相對于所述第二引導(dǎo)槽的延伸方向不同的方向上,
所述施壓單元配置成沿著所述施壓固定部在所述第一板的所述一表面上移動。
11.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置,其中,
所述第一引導(dǎo)槽與所述聯(lián)接槽的形成寬度形成為相同的寬度。
12.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置,其中,
所述第二引導(dǎo)槽與所述第一引導(dǎo)槽的形成寬度形成為不同的寬度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710904054.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





