[發(fā)明專利]一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710893562.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107546158A | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周文華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海強(qiáng)華實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京力量專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)11504 | 代理人: | 宋林清 |
| 地址: | 201507 上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 寸晶圓片 快速 清洗 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽。
背景技術(shù)
公開號(hào)為CN1567538A的專利文件,提到“在半導(dǎo)體制造過程中,晶圓的潔凈度對(duì)制造的合格率有莫大的影響。有鑒于此,通常必須在每一道半導(dǎo)體工藝進(jìn)行之前,以及工藝完成之后,另外再進(jìn)行一道晶圓洗凈的步驟,借以清除附著在晶圓上的材料微粒和化學(xué)殘留物等。目前,在晶圓洗凈的程序中,快速排水清洗法是相當(dāng)常見的一種晶圓清洗方式。所謂快速排水清洗法是先將放在晶圓座(Wafer Stand)上的晶圓完全浸泡于快速排水清洗槽里的去離子水中,再快速地排除快速排水清洗槽中的去離子水,在此同時(shí),對(duì)晶圓座上的晶圓噴灑去離子水,以沖洗晶圓。通常,在多槽式(Multi-bath)的濕式機(jī)臺(tái)(Wet Bench)上,晶圓于每一化學(xué)液槽程序后,一般會(huì)緊接著快速排水清洗槽步驟,借以去除上一程序中,沾附于晶圓上的工藝微粒和化學(xué)殘留物”。在上述環(huán)節(jié)中,快速排水清洗槽(Quick Dump Rinse Tank;QDR Tank)是一種關(guān)鍵設(shè)備。
如圖1所示,是一種現(xiàn)有的快速清洗槽。實(shí)際清洗時(shí),8寸晶圓片放置在晶圓片載具上,在晶圓片載具的下方設(shè)置有噴淋管和氮?dú)夤?,水柱從噴淋管噴射出來,由于氮?dú)夤車姵龅牡獨(dú)獾淖饔茫谇逑床蹆?nèi)形成了純水渦流氣泡,在渦流氣泡的作用下,晶圓片被清洗干凈。
但是,這種方法也有弊端。由于渦流運(yùn)動(dòng)不夠穩(wěn)定,也難以控制,因此,對(duì)于晶圓片的清洗力度只能依賴經(jīng)驗(yàn)和估計(jì),難以精確控制清洗效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽,目的在于解決現(xiàn)有的快速清洗槽在清洗晶圓片時(shí),清洗力度難以精確控制的問題。
一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽,8寸晶圓片被放置在晶圓片載具內(nèi),當(dāng)所述晶圓片載具放置在所述快速清洗槽內(nèi)時(shí),在對(duì)應(yīng)所述晶圓片載具內(nèi)晶圓片的兩側(cè)設(shè)置有噴淋管,
所述噴淋管的角度設(shè)置使得當(dāng)水柱從噴淋管噴出時(shí),水柱直接噴射到晶圓片的表面。
在所述晶圓片載具兩側(cè)設(shè)置的噴淋管的角度設(shè)置是對(duì)稱的,使得兩側(cè)噴淋管噴射到晶圓片表面的水柱呈現(xiàn)為對(duì)稱狀態(tài)。
在所述晶圓片載具兩側(cè)沿著晶圓片載具方向設(shè)置的噴淋管的數(shù)量對(duì)應(yīng)在所述晶圓片載具內(nèi)裝載的晶圓片的數(shù)量,保證每對(duì)噴淋管對(duì)應(yīng)一片晶圓片。
所述晶圓片載具安放在所述快速清洗槽底部的立柱上。
本發(fā)明改變了現(xiàn)有的清洗方式設(shè)計(jì),僅設(shè)置快速清洗槽兩側(cè)噴淋管,清洗水柱直接噴射到晶圓片表面,實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶圓片清洗力度的精確控制。
附圖說明
通過參考附圖閱讀下文的詳細(xì)描述,本發(fā)明示例性實(shí)施方式的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得易于理解。在附圖中,以示例性而非限制性的方式示出了本發(fā)明的若干實(shí)施方式,其中:
圖1現(xiàn)有技術(shù)中快速清洗槽的一種清洗方式示意圖。
圖2是圖1的清洗槽的側(cè)面示意圖。
圖3是本發(fā)明的清洗槽的清洗方式示意圖。
1——8寸晶圓片,2——晶圓片載具,3——清洗槽,4——噴淋管,5——氮?dú)夤埽?——水柱。
具體實(shí)施方式
如圖3所示,本發(fā)明的快速清洗槽,8寸晶圓片被放置在晶圓片載具內(nèi),當(dāng)所述晶圓片載具放置在所述快速清洗槽內(nèi)時(shí),在對(duì)應(yīng)所述晶圓片載具內(nèi)晶圓片的兩側(cè)設(shè)置有噴淋管。
所述噴淋管的角度設(shè)置使得當(dāng)水柱從噴淋管噴出時(shí),水柱直接噴射到晶圓片的表面。
在所述晶圓片載具兩側(cè)設(shè)置的噴淋管的角度設(shè)置是對(duì)稱的,使得兩側(cè)噴淋管噴射到晶圓片表面的水柱呈現(xiàn)為對(duì)稱狀態(tài)。
在所述晶圓片載具兩側(cè)沿著晶圓片載具方向設(shè)置的噴淋管的數(shù)量對(duì)應(yīng)在所述晶圓片載具內(nèi)裝載的晶圓片的數(shù)量,保證每對(duì)噴淋管對(duì)應(yīng)一片晶圓片。
所述晶圓片載具安放在所述快速清洗槽底部的立柱上。
值得說明的是,雖然前述內(nèi)容已經(jīng)參考若干具體實(shí)施方式描述了本發(fā)明創(chuàng)造的精神和原理,但是應(yīng)該理解,本發(fā)明并不限于所公開的具體實(shí)施方式,對(duì)各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合,這種劃分僅是為了表述的方便。本發(fā)明旨在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種修改和等同布置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





