[發(fā)明專利]一種具備保護(hù)功能的充電設(shè)備及充電系統(tǒng)

在審

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• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107785953A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧歡歡
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華琥技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及充電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具備保護(hù)功能的充電設(shè)備及充電系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著現(xiàn)代社會科技的快速發(fā)展，人們對手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等終端設(shè)備的需求越來越大，使得終端設(shè)備的配套設(shè)施如充電設(shè)備具有非常好的市場前景，并且發(fā)展勢頭良好。

現(xiàn)有技術(shù)中，如手機(jī)的終端設(shè)備與充電設(shè)備通過USB接口進(jìn)行低壓直充充電的示意圖可以如圖1所示，低壓直充充電控制芯片(Direct Charger)通過柵極控制(VGATE)控制VUSB線路上的兩個背靠背的MOS管(Q1和Q2)的關(guān)斷，防止充電出現(xiàn)意外時，電源電流由電源的電壓端(VBAT)發(fā)生倒灌。

由于低壓直充充電時，兩個背靠背的MOS管有阻抗的存在，根據(jù)焦耳定律Q＝I*I*R，在電流一定的情況下為了降低發(fā)熱，需降低MOS管阻抗，而MOS管的阻抗跟其面積直接相關(guān)。但受限于手機(jī)PCB板面積，選擇MOS管時面積又不能太大，所以在低壓直充時，兩個背靠背的MOS管變?yōu)榱酥饕臒嵩醇悬c(diǎn)，會導(dǎo)致手機(jī)的發(fā)熱，不利于用戶體驗(yàn)。因此，如何在終端設(shè)備進(jìn)行低壓直充充電時，避免發(fā)生終端設(shè)備發(fā)熱的情況，提高用戶體驗(yàn)效果，是亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種具備保護(hù)功能的充電設(shè)備及充電系統(tǒng)，以將終端設(shè)備充電路徑上的MOS管轉(zhuǎn)移到充電設(shè)備，避免進(jìn)行低壓直充充電時終端設(shè)備發(fā)熱情況的發(fā)生，提高用戶體驗(yàn)效果。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種具備保護(hù)功能的充電設(shè)備，包括設(shè)備主體和用于輸出充電電源的連接端，其特征在于，所述設(shè)備主體設(shè)有充電電路，所述充電電路與所述充電電源之間設(shè)有保護(hù)電路，所述保護(hù)電路當(dāng)充電出現(xiàn)異?；蛲瓿沙潆娮钄嗨龀潆婋娐放c連接端。

可選的，所述保護(hù)電路設(shè)有控制端，所述控終端接收充電異?；蛲瓿沙潆姷目刂菩盘?。

可選的，所述保護(hù)電路由MOS管組成。

可選的，所述保護(hù)電路為兩個背靠背連接的MOS管組成。

可選的，所述充電設(shè)備具體為充電器或充電寶。

本發(fā)明還提供了一種充電系統(tǒng)，包括：具備保護(hù)功能的充電設(shè)備，以及與所述充電設(shè)備的連接端相連的終端設(shè)備。

可選的，所述充電設(shè)備電路中設(shè)有保護(hù)電路，所述保護(hù)電路的輸出端通過所述連接端與所述終端設(shè)備的電源電壓端相連，所述保護(hù)電路的控制端與所述終端設(shè)備的低壓直充充電控制芯片相連。

可選的，所述保護(hù)電路由MOS組成，所述控制端為MOS管的柵極。

可選的，所述連接端通過USB接口與所述終端設(shè)備連接。

可選的，所述USB接口的VBUS引腳的第一端與所述MOS管的輸出端相連，第二端與所述終端設(shè)備的電源電壓端相連；所述USB接口的ID引腳的第一端與所述MOS管的柵極控制端相連，第二端與所述終端設(shè)備的低壓直充充電控制芯片相連。

可見，本發(fā)明中充電設(shè)備的MOS管可以被終端設(shè)備發(fā)送的柵極控制信號控制，在保證了原本MOS管防止電源電流倒灌的功能基礎(chǔ)上，將MOS管轉(zhuǎn)移到充電設(shè)備，避免了進(jìn)行低壓直充充電時終端設(shè)備發(fā)熱情況的發(fā)生，提高了用戶體驗(yàn)效果，并且MOS管設(shè)置在充電設(shè)備，可以選擇面積較大的MOS管，降低充電路徑阻抗，既降低了充電時的發(fā)熱，也可進(jìn)一步提高充電電流。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中充電設(shè)備與終端設(shè)備進(jìn)行低壓直充充電的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種具備保護(hù)功能的充電設(shè)備的示意框圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種充電系統(tǒng)的示意框圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另一充電系統(tǒng)的示意框圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的又一充電系統(tǒng)的示意框圖。

具體實(shí)施方式

請參考圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種具備保護(hù)功能的充電設(shè)備的示意框圖。該充電設(shè)備100可以包括設(shè)備主體110和用于與終端設(shè)備連接的連接端120，所述設(shè)備主體110可以包括MOS管111；所述MOS管111用于當(dāng)充電出現(xiàn)異?；蜻M(jìn)行充電的終端設(shè)備充電完成時，根據(jù)所述終端設(shè)備發(fā)送的柵極控制信號斷開充電線路。

其中，柵極控制信號可以為控制MOS管111導(dǎo)通或關(guān)斷的高低電平信號。當(dāng)柵極控制信號為高電平信號時，充電設(shè)備100的MOS管111接收到高電平信號可以導(dǎo)通，從而使整個充電線導(dǎo)通，充電設(shè)備100對終端設(shè)備進(jìn)行低壓直充充電；當(dāng)柵極控制信號為低電平信號時，充電設(shè)備100的MOS管111接收到低電平信號可以關(guān)斷，從而使整個充電線斷開，防止終端設(shè)備中的電源電流發(fā)生倒灌。