[發明專利]半導體模塊有效
| 申請號： | 201710891485.1 | 申請日： | 2017-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN107871733B | 公開（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發明（設計）人： | 中原賢太 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 模塊 | ||
1.一種半導體模塊，其中，
具有：
多個金屬板，它們在水平方向延伸，在垂直方向層疊；
至少1個開關元件；以及
至少1個電路元件，
所述至少1個開關元件接合于在垂直方向相對的2個所述金屬板之間，
所述至少1個電路元件接合于在垂直方向相對的2個所述金屬板之間，
在所述多個金屬板之間配置有絕緣性材料，
至少1個所述金屬板與所述開關元件、所述電路元件這兩者接合，
在相對的2個所述金屬板之間作為所述絕緣性材料配置絕緣基板，
所述至少1個電路元件貫穿所述絕緣基板而接合于在垂直方向相對的2個所述金屬板之間。
2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其中，
所述至少1個電路元件是多個，
串聯連接的多個所述電路元件接合于在垂直方向相對的2個所述金屬板之間。
3.一種半導體模塊，其中，
具有：
多個金屬板，它們在水平方向延伸，在垂直方向層疊；
至少1個開關元件；以及
至少1個電路元件，
所述至少1個開關元件接合于在垂直方向相對的2個所述金屬板之間，
所述至少1個電路元件接合于在垂直方向相對的2個所述金屬板之間，
在所述多個金屬板之間配置有絕緣性材料，
至少1個所述金屬板與所述開關元件、所述電路元件這兩者接合，
所述至少1個電路元件是多個，
在多個所述金屬板中的在垂直方向相對的2個所述金屬板之間，作為所述絕緣性材料配置絕緣基板，
多個所述電路元件中的所述至少1個電路元件貫穿所述絕緣基板而接合于相對的2個所述金屬板之間，
在多個所述金屬板中的在垂直方向相對的2個所述金屬板之間，作為所述絕緣性材料配置絕緣性樹脂，
多個所述電路元件中的所述至少1個電路元件接合于相對的2個所述金屬板之間，被所述絕緣性樹脂封裝。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體模塊，其中，
所述至少1個開關元件在兩面具有電極，
所述至少1個開關元件的兩面的所述電極通過導電性接合材料而分別面接合至在垂直方向相對的2個所述金屬板，
所述至少1個電路元件在兩端具有電極，
所述至少1個電路元件的兩端的所述電極通過導電性接合材料而分別面接合至在垂直方向相對的2個所述金屬板。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體模塊，其中，
還具有緩沖電路，該緩沖電路抑制伴隨所述開關元件的通斷而產生的浪涌電壓，
所述緩沖電路包含所述多個金屬板的一部分及所述至少1個電路元件。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體模塊，其中，
所述至少1個電路元件包含無源元件，
所述無源元件是電容器或電阻元件。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體模塊，其中，
所述金屬板的厚度大于或等于0.25mm。
8.根據權利要求1或3所述的半導體模塊，其中，
所述絕緣基板含有陶瓷材料，
所述絕緣基板的厚度大于或等于0.32mm。
9.根據權利要求3所述的半導體模塊，其中，
所述絕緣性樹脂的厚度大于或等于0.1mm。
10.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體模塊，其中，
所述至少1個開關元件是IGBT。
11.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體模塊，其中，
所述至少1個開關元件是MOSFET。
12.根據權利要求10所述的半導體模塊，其中，
所述至少1個開關元件含有碳化硅。
13.根據權利要求11所述的半導體模塊，其中，
所述至少1個開關元件含有碳化硅。
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