[發明專利]膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法和設備

有效

• 申請號: 201710883448.6
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN109558610B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 黃俊杰;王琦;張健;呂守華;楊成發;周猛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: G06F30/23
• 分類號: G06F30/23;G06F119/14;G06F111/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法，其特征在于，包括：

S01、選取膜層刻蝕區域的至少一部分為分析區域；

S02、建立與所述分析區域對應的平面模型；

S03、以第一密度對所述平面模型進行網格劃分；

S04、根據膜層材料的實際力學參數和第一密度的網格劃分，通過有限元法分析平面模型在模擬邊界條件下的第一模擬應力；

S05、計算等效力學參數，其中，在模擬邊界條件下，等效力學參數能使與平面模型邊界尺寸相同的各向異性的平面盲板達到第一模擬應力；

其中，所述分析區域為長方形區域，其具有平行于X方向的第一邊和第三邊，以及平行于Y方向的第二邊和第四邊，所述第一邊和第三邊的長度為L₁，所述第二邊和第四邊的長度為L₂；

所述模擬邊界條件包括第一邊界條件和第二邊界條件，其中，

所述第一邊界條件為第一邊、第三邊、第四邊固定，第二邊沿X方向遠離第四邊發生C₁L₁的位移，在第一邊界條件下沿X方向的應力為σ_X1，而沿Y方向的應力為σ_Y1；

所述第二邊界條件為第一邊、第二邊、第四邊固定，第三邊沿X方向遠離第一邊的方向發生C₂L₂的位移，在第二邊界條件下沿X方向的應力為σ_X2，而沿Y方向的應力為σ_Y2；

所述等效力學參數包括X方向的等效彈性模量E_X和等效泊松比V_XY，以及Y方向的等效彈性模量E_Y和等效泊松比V_YX，其通過以下公式計算：

2.根據權利要求1所述的膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法，其特征在于，

所述L₁在0.001～0.5mm；

所述L₂在0.001～0.5mm。

3.根據權利要求1所述的膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法，其特征在于，

所述C₁在0.0001～0.005；

所述C₂在0.0001～0.005。

4.根據權利要求1所述的膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法，其特征在于，

所述網格為正方形，其邊長在0.003～0.02mm。

5.根據權利要求1所述的膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法，其特征在于，

所述膜層材料的實際力學參數為膜層材料在指定溫度下的實際力學參數。

6.根據權利要求1所述的膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法，其特征在于，在所述步驟S04和S05之間，還包括：

以第二密度對平面模型進行網格劃分，所述第二密度為第一密度的二倍；

根據膜層材料的實際力學參數和第二密度的網格劃分，通過有限元法分析平面模型在模擬邊界條件下的第二模擬應力；

比較所述第二模擬應力與第一模擬應力的差別是否超過閾值，若是則返回S03步驟，并重新選取更大的第一密度；若否則進入下一步。

7.根據權利要求6所述的膜層刻蝕區域等效力學參數的計算方法，其特征在于，

所述第二模擬應力與第一模擬應力的差別為：第二模擬應力與第一模擬應力差值的絕對值與第二模擬應力的比值；

所述閾值為3％。