[發明專利]一種玻璃基板、OLED器件及玻璃基板的制程方法在審
| 申請號： | 201710876584.2 | 申請日： | 2017-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN107768544A | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 張亮 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊賢卿 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 玻璃 oled 器件 方法 | ||
1.一種玻璃基板，其特征在于，包括本體（1），且所述本體（1）上方設有至少一凸起陣列（2）以及覆蓋于每一凸起陣列（2）上方的膠凝物（3）；其中，
所述每一凸起陣列（2）均包括多個由絕緣材料制作而成的凸塊，且相鄰凸塊之間均預留有一定間距。
2.如權利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，所述每一凸起陣列（2）中的凸塊均由多個呈交錯排列的第一凸塊（21）和第二凸塊（22）形成；其中，
每一第一凸塊（21）均為梯狀柱體，且其朝向所述本體（1）一側的端面面積大于遠離所述本體（1）一側的端面面積；
每一第二凸塊（22）均為梯狀柱體，且其朝向所述本體（1）一側的端面面積小于遠離所述本體（1）一側的端面面積。
3.如權利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，所述每一第一凸塊（21）的高度均相等，所述每一第二凸塊（22）的高度均相等，且所述每一第一凸塊（21）的高度均大于所述每一第二凸塊（22）的高度。
4.如權利要求3所述的玻璃基板，其特征在于，所述每一第一凸塊（21）和所述每一第二凸塊（22）制作的材質為有機材質和/或無機材質；其中，
所述有機材質包括SiOx、SiNx和Al2O3 ；所述無機材質包括ZnO和TiO2。
5.如權利要求1-4中任一項所述的玻璃基板，其特征在于，所述覆蓋于每一凸起陣列（2）上方的膠凝物（3）的厚度均相等。
6.如權利要求5所述的玻璃基板，其特征在于，所述膠凝物為Dam膠。
7.一種OLED器件，其特征在于，包括如權利要求1-6中任一項所述的玻璃基板。
8.一種玻璃基板的制程方法，其特征在于，包括以下步驟：
選擇玻璃基板，并在所選玻璃基板上方涂抹一層絕緣物；
對所述絕緣物進行蝕刻，制作出至少一凸起陣列；其中，每一凸起陣列均包括多個凸塊，且相鄰凸塊之間均預留有一定間距；
對所述制作出的每一凸起陣列均進行清洗；
在所述清洗后的每一凸起陣列上方均涂抹并覆蓋有膠凝物。
9.如權利要求8所述的玻璃基板的制程方法，其特征在于，所述對所述絕緣物進行蝕刻是采用激光雕刻或曝光顯影蝕刻來實現。
10.如權利要求9所述的玻璃基板的制程方法，其特征在于，所述絕緣物制作的材質采用有機材質和/或無機材質；其中，
所述有機材質包括SiOx、SiNx和Al2O3 ；所述無機材質包括ZnO和TiO2。
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- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
