[發(fā)明專利]玻璃板和玻璃基板的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710860184.2
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN107857480A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 佐藤啟史;似內(nèi)佑輔;中谷嘉孝;山田兼士;富永龍;米道友廣
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00;G02F1/1333
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

技術領域

本發(fā)明涉及平板顯示器等使用的玻璃板和玻璃基板(玻璃板)的制造方法。

背景技術

在平板顯示器等的制造工藝中，以真空吸附將玻璃板保持于載物臺(臺座)并形成電路等，在將玻璃板自載物臺拆下時，會引起剝離帶電而使玻璃板產(chǎn)生龜裂、裂紋，因此，為了防止剝離帶電，公知有使吸附面表面粗糙化的方案(參照專利文獻1)。

專利文獻1公開有以下這樣的玻璃板：該玻璃板包括作為形成半導體元件或彩色膠片的表面的第1表面、以及與第1表面相反的一側的第2表面，第2表面具有大于-1.5且小于-0.5的Rsk，該玻璃板為使用了具有包含SiO₂、Al₂O₃以及B₂O₃的組成的硼鋁硅酸鹽玻璃的基板，利用表面處理降低與載置玻璃板的平臺(載物臺)表面接觸的第2表面的面積，更有效地抑制玻璃基板的帶電。

專利文獻1：日本特開2014-69999號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在專利文獻1中，由于作為反應氣體的氟化氫氣體的蔓延，不僅使第2表面受到影響，還使得形成半導體元件等的第1表面也受到反應氣體的影響。例如，可列舉由于第1主表面的表面的平滑性受損、因反應氣體使玻璃表面的Al被置換為F而表現(xiàn)憎油性，因而使半導體元件等的密合性劣化的情況。這樣，存在有以下的課題：若與本來成為表面粗糙化的對象的表面(第2表面)不同的表面(第1表面)受到反應氣體的影響，則在形成半導體元件、濾色器、黑色矩陣(BM)等時引起不良。

本發(fā)明的目的在于提供使成為吸附面的面粗糙化、且抑制反應氣體對相反側的半導體元件等的形成面的影響的玻璃板和該玻璃板(玻璃基板)的制造方法。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的玻璃板具有：第1主表面；第2主表面，其與所述第1主表面相對；以及端面，其連接所述第1主表面和所述第2主表面，所述第1主表面的第1表面粗糙度小于所述第2主表面的第2表面粗糙度，所述第1主表面的Al/Si的值大于所述第2主表面的Al/Si的值。

本發(fā)明的玻璃基板的制造方法為顯示器用玻璃基板的制造方法，其中，該制造方法具有：制作玻璃基板的工序；以及表面粗糙化工序，僅對所述玻璃基板的主表面中的一個主表面的玻璃表面使用反應氣體進行表面粗糙化。

發(fā)明的效果

采用本發(fā)明，能夠提供使成為吸附面的面粗糙化、且抑制反應氣體對相反側的半導體元件等的形成面的影響的玻璃板。

附圖說明

圖1的(a)～圖1的(b)表示本發(fā)明所涉及的玻璃板的一例子，圖1的(a)是主視立體圖，圖1的(b)是表面粗糙化裝置內(nèi)的輸送狀態(tài)的示意圖。

圖2的(a)～圖2的(b)是表示本發(fā)明所涉及的玻璃板的制造方法的一例子的示意圖，圖2的(a)是實施方式1，圖2的(b)是實施方式2。

圖3的(a)～圖3的(b)是接著圖2的(a)～圖2的(b)的圖，圖3的(a)是實施方式3，圖3的(b)是實施方式4。

圖4的(a)～圖4的(c)表示測量本發(fā)明所涉及的玻璃板的第1主表面的氟量以及Al/Si比得到的結果，圖4的(a)是測量點的主視圖，圖4的(b)是氟量的測量結果的表，圖4的(c)是Al/Si測量結果的表。

圖5的(a)～圖5的(c)是表示本發(fā)明所涉及的玻璃板的以表示各種粗糙度的指標測量得到的值的表，圖5的(a)是第1主表面的測量值，圖5的(b)是第2主表面的測量值，圖5的(c)是以圖5的(a)～圖5的(b)的各平均值計算的第1主表面/第2主表面的值。

圖6的(a)～(b)是測量本發(fā)明所涉及的玻璃板的第1端面、第2端面、第3端面、第4端面的碎玻璃剝離率得到的表，圖6的(a)是第1樣品，圖6的(b)是第2樣品。

附圖標記說明

1、玻璃板(玻璃基板)；10、第1主表面；20、第2主表面；30、第1端面；40、第2端面；50、第3端面；60、第4端面；100、表面粗糙化裝置；101、旋轉輥；102、噴嘴；103、頂板；G、殘留氣體。

具體實施方式

以下，使用附圖詳細說明本發(fā)明所涉及的玻璃板的具體的實施方式。