[發明專利]一種基于CsPbBr3全無機鈣鈦礦納米線的可見光光電探測器及其制備方法有效
| 申請號: | 201710853010.3 | 申請日: | 2017-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN107919409B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發明(設計)人: | 王浩;曾俊鵬;周海;張軍 | 申請(專利權)人: | 湖北大學 |
| 主分類號: | H01L31/09 | 分類號: | H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司: | 武漢河山金堂專利事務所(普通合伙) 42212 | 代理人: | 丁齊旭 |
| 地址: | 430062 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可見光 光電探測器 納米線薄膜 無機鈣鈦礦 暗電流 鈣鈦礦 納米線 探測器 制備 器件制作工藝 產業化生產 離子交換法 兩步法合成 探測靈敏度 紫外光 大氣環境 光電探測 衰減幅度 透明玻璃 光電流 開關比 溶液法 吸光層 響應度 衰減 水氧 照射 下放 節約 能源 制作 展示 | ||
1.一種基于CsPbBr3全無機鈣鈦礦納米線的可見光光電探測器,它主要由透明玻璃、鈣鈦礦吸光層、金屬電極組成,其特征在于結構為透明玻璃/CsPbBr3鈣鈦礦納米線薄膜/Au的全無機鈣鈦礦平面探測器結構;其中透明玻璃層為襯底;通過無皂溶液法與離子交換法結合的兩步法合成的CsPbBr3鈣鈦礦納米線薄膜是吸光層,也是兼具電子空穴傳輸功能的材料;金屬電極是由Au叉指結構組成;
所述可見光光電探測器的具體制備步驟如下:
(1)分別用去離子水、丙酮、酒精超聲透明玻璃襯底各20分鐘,然后用紫外臭氧環境處理30分鐘;
(2)采用無皂溶液法制備非鈣鈦礦相CsPbI3納米線薄膜
先將1M PbI2溶解在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中,在70℃條件下保溫12h使之充分溶解,然后過濾備用;將CsI溶解在甲醇溶液中攪拌20分鐘備用;PbI2溶液采用5000轉60秒旋涂在透明玻璃襯底上,然后在熱臺上烤干,15分鐘后,將帶有PbI2薄膜的襯底放置于CsI/甲醇溶液中浸泡6小時,然后烤干;
(3)用離子交換法將非鈣鈦礦相CsPbI3納米線薄膜轉化為非鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜
先將CsBr溶解在甲醇溶液中攪拌20分鐘備用;將(2)步中得到的制備的非鈣鈦礦相CsPbI3納米線薄膜浸泡于CsBr/甲醇溶液中5分鐘后取出;將異丙醇采用2500轉20秒旋涂在帶有納米線薄膜的襯底上,放置于熱臺上烤干;
(4)待(3)步中得到的非鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜完全烤干后,將熱臺溫度快速提升到145℃~195℃的空氣中退火,并在此溫度下保持10分鐘;待其顏色完全轉變后取出,自然恢復到室溫;通過退火將非鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜轉化為鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜;
(5)最后采用蒸鍍法覆蓋金電極,蒸發前將叉指間距為100μm叉指掩膜板置于納米線薄膜上,蒸發速率為蒸鍍的Au電極的厚度最終為60-80nm;
(6)檢測樣品性能
所制備樣品在300-450nm范圍的可見光照射并施加5V外部反向偏壓時,有明顯的光電響應;
至此,即可制作成一個完整的平面結構可見光的光電探測器。
2.根據權利要求1所述的一種基于CsPbBr3全無機鈣鈦礦納米線的可見光光電探測器的制備方法,其步驟如下:
(1)分別用去離子水、丙酮、酒精超聲透明玻璃襯底各20分鐘,然后用紫外臭氧環境處理30分鐘;
(2)采用無皂溶液法制備非鈣鈦礦相CsPbI3納米線薄膜
先將1M PbI2溶解在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中,在70℃條件下保溫12h使之充分溶解,然后過濾備用;將CsI溶解在甲醇溶液中攪拌20分鐘備用;PbI2溶液采用5000轉60秒旋涂在透明玻璃襯底上,然后在熱臺上烤干,15分鐘后,將帶有PbI2薄膜的襯底放置于CsI/甲醇溶液中浸泡6小時,然后烤干;
(3)用離子交換法將非鈣鈦礦相CsPbI3納米線薄膜轉化為非鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜
先將CsBr溶解在甲醇溶液中攪拌20分鐘備用;將(2)步中得到的制備的非鈣鈦礦相CsPbI3納米線薄膜浸泡于CsBr/甲醇溶液中5分鐘后取出;將異丙醇采用2500轉20秒旋涂在帶有納米線薄膜的襯底上,放置于熱臺上烤干;
(4)通過退火將非鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜轉化為鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜
先待(3)步中得到的非鈣鈦礦相CsPbBr3納米線薄膜完全烤干后,將熱臺溫度快速提升到145℃~195℃的空氣中退火,并在此溫度下保持10分鐘;待其顏色完全轉變后取出,自然恢復到室溫;
(5)最后采用蒸鍍法覆蓋金電極,蒸發前將叉指間距為100μm叉指掩膜板置于納米線薄膜上,蒸發速率為蒸鍍的Au電極的厚度最終為60-80nm;
(6)檢測樣品性能
所制備樣品在300-450nm范圍的可見光照射并施加5V外部反向偏壓時,有明顯的光電響應;
至此,即可制作成一個完整的平面結構可見光的光電探測器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





