[發明專利]一種表面親水改性雜化硅膜的制備方法有效
| 申請號： | 201710849927.6 | 申請日： | 2017-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN107583468B | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 徐榮;程旭;鐘璟;張琪;戚律 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | B01D67/00 | 分類號： | B01D67/00;B01D69/02;C02F1/44 |
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| 地址： | 213164 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 改性 雜化硅膜 制備 方法 | ||
1.一種表面親水改性雜化硅膜的制備方法，其特征在于：所述的制備方法為，通過將雜化硅膜材料靜置在溴蒸汽中發生親電加成反應得到溴代雜化硅膜，然后將溴代雜化硅膜靜置在氨蒸汽中使溴原子被氨分子取代制備得到氨基官能化的雜化硅膜；
雜化硅膜分離層由含有碳碳雙鍵的有機硅溶膠制得，所述有機硅為橋架結構的有機硅(R'O)3-Si-R-Si-(OR')3或側基結構的有機硅(R'O)3Si-R，R'為乙烷基，R為含有碳碳雙鍵的烯烴基團。
2.如權利要求1所述的表面親水改性雜化硅膜的制備方法，其特征在于：所述制備方法的具體操作為，
(1)將雜化硅膜放置在含有液溴的真空干燥皿中，雜化硅膜與液溴不接觸，之后將真空干燥皿進行排氣，使溴蒸汽與雜化硅膜進行充分反應；
(2)排空步驟(1)真空干燥皿中的液溴蒸汽，取出雜化硅膜，進行真空加熱干燥；
(3)將步驟(2)干燥后的雜化硅膜同樣以不接觸的方式放入含有氨水的真空干燥皿中，之后也將真空干燥皿進行排氣，使膜材料與氨蒸汽進行充分反應，然后取出膜材料保存。
3.如權利要求2所述的表面親水改性雜化硅膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)中，在真空干燥皿中放入一個燒杯和一個表面皿，燒杯中放入液溴，表面皿中放入雜化硅膜。
4.如權利要求2所述的表面親水改性雜化硅膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)中，雜化硅膜的制備方法為，
首先在乙醇溶劑中通過硅源前驅體的水解和聚合反應制備溶膠，
其次，將硅鋯溶膠涂布在多孔的α-氧化鋁支撐體上，并在550℃下煅燒30min制備硅鋯過渡層，涂布次數為5～8次，
然后將前述的硅源前驅體制備的溶膠涂覆在前述的過渡層上，在空氣氣氛中以300℃燒制20min。
6.如權利要求2所述的表面親水改性雜化硅膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)中，真空加熱干燥的溫度為100℃、時間為12h、壓強為0.0133Pa。
7.如權利要求2所述的表面親水改性雜化硅膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，氨水濃度為25wt.％。
8.如權利要求2所述的表面親水改性雜化硅膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，將真空干燥皿進行排氣時，控制壓強降低至80kPa使膜材料與氨蒸汽反應，且反應溫度為室溫，反應時間為12h。
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