[發明專利]集成電路和形成集成電路的方法

有效

• 申請號: 201710835486.4
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107833881B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 莊惠中;江庭瑋;魯立忠;田麗鈞;陳順利
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路結構，包括：

第一單元，包括：

第一有源區，在第一方向上延伸并且位于第一層級處；

第二有源區，在所述第一方向上延伸，位于所述第一層級處，并且在與所述第一方向不同的第二方向上與所述第一有源區分離，以及

第一柵極結構，在所述第二方向上延伸，與所述第一有源區和所述第二有源區重疊，并且位于與所述第一層級不同的第二層級處；

第一導軌，在所述第一方向上延伸，與所述第一有源區重疊，配置為提供第一電源電壓，并且位于與所述第一層級和所述第二層級不同的第三層級處，以及

第二導軌，在所述第一方向上延伸，與所述第二有源區重疊，位于所述第三層級處，在所述第二方向上與所述第一導軌分離，并且配置為提供與所述第一電源電壓不同的第二電源電壓。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一單元還包括：

鰭組，在所述第一方向上延伸并且位于所述第一柵極結構之下，所述鰭組中的每個鰭在所述第二方向上通過鰭間距與所述鰭組中的相鄰鰭分離。

3.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一單元還包括：

淺溝槽隔離(STI)結構，位于所述第一有源區和所述第二有源區之間。

4.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，

至少所述第一導軌與所述第一有源區的中心重疊，或

至少所述第二導軌與所述第二有源區的中心重疊。

5.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一單元還包括：

第一單元邊緣；

第二單元邊緣，為所述第一單元中的與所述第一單元邊緣相對的一邊緣；

第一偽柵極結構，在所述第二方向上延伸并且與所述第一單元邊緣重疊，以及

第二偽柵極結構，在所述第二方向上延伸并且與所述第二單元邊緣重疊。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

通孔組，位于所述第一柵極結構上方，所述通孔組中的第一通孔在所述第二方向上與所述通孔組中的第二通孔分離。

7.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，

所述第一有源區具有第一類型摻雜劑，以及

所述第二有源區具有與所述第一類型摻雜劑不同的第二類型摻雜劑。

8.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

第二單元，與所述第一單元相鄰，所述第二單元包括：

第三有源區，在所述第一方向上延伸并且位于所述第一層級處；

第四有源區，在所述第一方向上延伸，位于所述第一層級處，并且在所述第二方向上與所述第三有源區分離；

第二柵極結構，在所述第二方向上延伸，與所述第三有源區和所述第四有源區重疊，并且位于所述第二層級處；

第一單元邊緣，以及

第二單元邊緣，為所述第二單元中的與所述第一單元邊緣相對的一邊緣，

其中，所述第一有源區的中心與所述第二單元的所述第一單元邊緣均位于在所述第一方向上延伸的同一直線上，所述第一導軌與所述第二單元的所述第一單元邊緣和所述第一有源區的中心重疊，并且在所述第二方向上，所述第一單元的高度不同于所述第二單元的高度。

9.根據權利要求8所述的集成電路結構，還包括：

第三導軌，在所述第一方向上延伸，與所述第二單元的所述第二單元邊緣重疊，配置為提供所述第二電源電壓，并且位于所述第三層級處。

10.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述第二單元包括：

第三單元邊緣；

第四單元邊緣，為所述第二單元的與所述第三單元邊緣相對的一邊緣；

第一偽柵極結構，在所述第二方向上延伸并且與所述第三單元邊緣重疊，以及

第二偽柵極結構，在所述第二方向上延伸并且與所述第四單元邊緣重疊。