[發明專利]具有改良輪廓的雙通道噴淋頭

有效

• 申請號: 201710833620.7
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107895683B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: D·盧博米爾斯基
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;B05B13/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

1.一種半導體處理腔室，包含：

腔室外殼，至少部分限定所述半導體處理腔室的內部區域，其中所述腔室外殼包含蓋；

底座，配置成支撐在所述半導體處理腔室的處理區域內的基板；以及

第一噴淋頭，定位在所述半導體處理腔室內，所述第一噴淋頭包含耦合在一起的至少兩個板以限定在所述至少兩個板之間的容積，其中所述至少兩個板至少部分限定通過所述第一噴淋頭的通道，其中所述至少兩個板之間的容積與所述通道流體隔離，其中每個通道由在所述通道的第一末端處的第一直徑表征并由在所述通道的第二末端處的多個端口表征，其中所述第一噴淋頭限定多個孔，所述多個孔限定從所述至少兩個板之間的容積的流體通路，其中每一個通道分別由所述多個孔中的孔的子集圍繞，其中圍繞一個通道的所述孔的子集中的孔不被包含在圍繞任何其他通道的孔的子集中，并且其中孔的每一個子集包括相等數量的孔。

2.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中每個端口由小于所述第一直徑的直徑表征。

3.如權利要求1所述的半導體處理腔室，進一步包含與電源耦合的第二噴淋頭，其中所述第二噴淋頭定位在所述蓋與所述處理區域之間的所述半導體處理腔室內。

4.如權利要求3所述的半導體處理腔室，進一步包含與電氣接地耦合的面板，其中所述面板定位在所述第二噴淋頭與所述處理區域之間的所述半導體處理腔室內。

5.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述面板與所述第一噴淋頭直接接觸，并且其中所述面板和所述第一噴淋頭與電氣接地耦合。

6.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述半導體處理腔室進一步包含在所述第二噴淋頭與所述面板之間的間隔件，并且其中所述第二噴淋頭、所述面板、和所述間隔件被配置成至少部分限定在所述半導體處理腔室內的等離子體處理區域。

7.如權利要求3所述的半導體處理腔室，其中所述底座與電源耦合，并且其中所述第一噴淋頭與電氣接地耦合。

8.如權利要求7所述的半導體處理腔室，其中所述底座和所述第一噴淋頭被配置成至少部分限定在所述半導體處理腔室的所述處理區域內的等離子體處理區域。

9.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一噴淋頭定位在所述半導體處理腔室內，所述第一噴淋頭具有面對面板的每個通道的所述第一末端，并具有靠近所述半導體處理腔室的處理區域的每個通道的所述第二末端。

10.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一噴淋頭定位在所述半導體處理腔室內，所述第一噴淋頭具有靠近所述半導體處理腔室的處理區域的每個通道的所述第一末端，并具有面對面板的每個通道的所述第二末端。

11.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一噴淋頭的表面鄰近所述半導體處理腔室的所述處理區域，并且其中所述表面經涂覆。

12.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一直徑是至少2.5mm，并且其中每個端口的直徑小于或等于1.2mm。