[發明專利]一種Ni

有效

• 申請號: 201710831300.8
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107651656B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 熊杰;李嵐;黃建文;鄔春陽;胡凱;杜新川
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C01B25/37
• 分類號: C01B25/37;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M4/58
• 代理公司: 51203 電子科技大學專利中心
• 代理人: 吳姍霖

1.一種Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料，其特征在于，所述Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料具有多級結構，由5～10nm的納米晶修飾于網絡狀互聯的納米顆粒上形成。

2.一種Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：將Ni源和過硫酸鹽按照摩爾比為(3～4)：1的比例加入去離子水中，混合均勻，得到混合液A，然后向混合液A中加入氨水，得到混合液B；其中，Ni源的濃度為0.2～0.3mol/L，混合液A與氨水的體積比為(10～20):1；

步驟2：將導電基底放入步驟1配制的混合液B中，靜置15～20min，然后取出清洗，自然晾干；

步驟3：將步驟2得到的導電基底放入石英管加熱中心，0.1～1g磷源放置于石英管上游區域；

步驟4：將石英管內部抽真空至0.1atm以下，再通入惰性氣體使管內氣壓保持常壓環境，然后通入載氣流；

步驟5：以2～8℃/min的升溫速率加熱石英管，使其加熱中心的溫度達到280℃～350℃，然后在280℃～350℃溫度下保溫0～60min；

步驟6：反應結束后，待石英管自然冷卻至室溫，取出導電基底，即可在導電基底上得到Ni₂P₄O₁₂納米顆粒。

3.根據權利要求2所述的Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料的制備方法，其特征在于，步驟1所述過硫酸鹽為過硫酸銨、過硫酸鈉或過硫酸鉀。

4.根據權利要求2所述的Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料的制備方法，其特征在于，步驟1所述Ni源為六水氯化鎳、硫酸鎳、硝酸鎳中的一種或幾種。

5.根據權利要求2所述的Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料的制備方法，其特征在于，步驟2所述導電基底為碳布、泡沫鎳或FTO。

6.根據權利要求2所述的Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料的制備方法，其特征在于，步驟3所述磷源為含結晶水的次亞磷酸鈉。

7.根據權利要求2所述的Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料的制備方法，其特征在于，步驟4所述惰性氣體為氬氣，所述載氣流為氬氣、氮氣或者為氬氣和氫氣的混合氣體，所述載氣流的流量為20～50sccm。

8.權利要求1所述Ni₂P₄O₁₂納米顆粒材料作為電解水的陽極材料的應用。

9.權利要求2至7任一項方法得到的Ni₂P₄O₁₂納米顆粒作為電解水的陽極材料的應用。