[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710828987.X
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN107819060B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳昭興;王佳琨;曾咨耀;蔣宗勛;胡柏均;莊文宏;林昱伶
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包含一半導(dǎo)體堆疊，具有一第一半導(dǎo)體層，一第二半導(dǎo)體層以及一主動層；多個第一溝槽穿過第二半導(dǎo)體層及主動層以露出第一半導(dǎo)體層；一第二溝槽穿過第二半導(dǎo)體層及主動層以露出第一半導(dǎo)體層，其中第二溝槽靠近主動層的一最外側(cè)，并環(huán)繞主動層及多個第一溝槽；一圖案化金屬層位于第二半導(dǎo)體層上，及多個第一溝槽之一內(nèi)或第二溝槽內(nèi)；以及一第一焊接部和一第二焊接部位于第二半導(dǎo)體層上，并分別電連接至第二半導(dǎo)體層和第一半導(dǎo)體層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light-emitting Diode；LED)目前已經(jīng)廣泛地使用在光學(xué)顯示裝置、交通號志、數(shù)據(jù)存儲裝置、通訊裝置、照明裝置與醫(yī)療器材上。如圖2所示，現(xiàn)有的LED具有一n型半導(dǎo)體層1104、一主動層1106與一p型半導(dǎo)體層1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半導(dǎo)體層1108與主動層1106被移除以曝露部分n型半導(dǎo)體層1104，一p型電極a1與一n型電極a2分別形成于p型半導(dǎo)體層1108與n型半導(dǎo)體層1104之上。因為n型電極a2需要足夠的面積以利后續(xù)制作工藝進行，例如打線，所以大部分的主動層1106被移除，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。

此外，上述的LED還可以進一步地與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置(light-emitting apparatus)。圖1為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，一發(fā)光裝置1200包含一具有至少一電路1204的次載體(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次載體1202上，通過此焊料1206將上述LED 1210粘結(jié)固定于次載體1202上并使LED 1210的基板1212與次載體1202上的電路1204形成電連接；以及，一電連接結(jié)構(gòu)1208，以電連接LED1210的電極1214與次載體1202上的電路1204；其中，上述的次載體1202可以是導(dǎo)線架(leadframe)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)，以便發(fā)光裝置的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。

發(fā)明內(nèi)容

一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包含一半導(dǎo)體堆疊，具有一第一半導(dǎo)體層，一第二半導(dǎo)體層以及一主動層位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間，其中第一半導(dǎo)體層包含一周圍表面以環(huán)繞主動層；多個通孔穿過半導(dǎo)體堆疊以露出第一半導(dǎo)體層；一圖案化金屬層位于多個通孔上，并覆蓋第一半導(dǎo)體層的周圍表面；一第一焊接部位于半導(dǎo)體堆疊上，并電連接至第一半導(dǎo)體層；以及一第二焊接部位于半導(dǎo)體堆疊上，并電連接至第二半導(dǎo)體層。

一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包含一外周圍及一半導(dǎo)體堆疊，具有一第一半導(dǎo)體層，一第二半導(dǎo)體層以及一主動層位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間，其中第一半導(dǎo)體層包含一周圍表面沿著半導(dǎo)體發(fā)光元件的外周圍；多個通孔穿過半導(dǎo)體堆疊以露出第一半導(dǎo)體層；以及一圖案化金屬層位于多個通孔上，并覆蓋第一半導(dǎo)體層的周圍表面，其中圖案化金屬層包含一面積大于主動層的一面積。

一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包含一半導(dǎo)體堆疊，具有一第一半導(dǎo)體層，一第二半導(dǎo)體層以及一主動層位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間；多個第一溝槽穿過第二半導(dǎo)體層及主動層以露出第一半導(dǎo)體層；一第二溝槽穿過第二半導(dǎo)體層及主動層以露出第一半導(dǎo)體層，其中第二溝槽靠近主動層的最外側(cè)，并環(huán)繞主動層及多個第一溝槽；一圖案化金屬層位于第二半導(dǎo)體層上，及多個第一溝槽之一內(nèi)或第二溝槽內(nèi)；一第一焊接部位于第二半導(dǎo)體層上，并電連接至第二半導(dǎo)體層；以及一第二焊接部位于第二半導(dǎo)體層上，并電連接至第一半導(dǎo)體層。

一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包含一半導(dǎo)體堆疊，具有一第一半導(dǎo)體層，一第二半導(dǎo)體層以及一主動層位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間，其中第一半導(dǎo)體層包含一周圍側(cè)表面以環(huán)繞主動層，且周圍側(cè)表面連接至第一半導(dǎo)體層的一上表面；多個溝槽穿過主動層及第二半導(dǎo)體層以露出第一半導(dǎo)體層的上表面，其中多個溝槽靠近第一半導(dǎo)體層的周圍側(cè)表面；以及一圖案化金屬層位于第二半導(dǎo)體層上，具有一第一金屬區(qū)域及一第二金屬區(qū)域，其中第二金屬區(qū)域位于多個溝槽之一上，并覆蓋第一半導(dǎo)體層的周圍側(cè)表面。