[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 201710828203.3
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN108074922B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 鄭士嵩
• 申請（專利權）人: 創王光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/08;H01L27/088
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導體元件，包括：

一柵極區域；

一源極/漏極區域；以及

一絕緣層，位于該柵極區域與該源極/漏極區域之間；

其中該源極/漏極區域包含延伸于一第一方向的一第一區段，延伸平行于該第一區段并且與該第一區段分離的一第二區段，以及用以將該第一區段連接至與該第一區段分離的該第二區段的一第三區段，該第三區段的一端部與該第一區段的兩端部之間的一部份接觸；該柵極區域與該第一區段、該第二區段及該第三區段的三者中的每一者相互交疊放置；該柵極區域及該第三區段的一者沿著一方向直接設置在該柵極區域及該第三區段的另一者上方，該柵極區域及該第三區段的所述一者在該方向上正交地投影至該柵極區域及該第三區段的所述另一者；以及，該柵極區域共通于該源極/漏極區域的該第一區段、該第二區段及該第三區段。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第三區段延伸于一第二方向，該第二方向不同于該第一方向。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第二方向垂直于該第一方向。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其中該源極/漏極區域包含未與該柵極區域重疊的一第一源極/漏極終端、一第二源極/漏極終端以及一第三源極/漏極終端。

5.如權利要求4所述的半導體元件，其中該第一源極/漏極終端與該柵極區域定義一第一晶體管，該第二源極/漏極終端與該柵極區域定義一第二晶體管，以及該第三源極/漏極終端與該柵極區域定義一第三晶體管。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第三區段的另一端部連接至該第二區段的一端部。

7.如權利要求4所述的半導體元件，另包括一第四源極/漏極終端。

8.如權利要求7所述的半導體元件，其中該第四源極/漏極終端與該柵極區域定義一第四晶體管。

9.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第三區段位置接近該第一區段與該第二區段上的源極/漏極終端，并與該第一區段與該第二區段上的該源極/漏極終端一起定義一充電電流路徑。

10.如權利要求9所述的半導體元件，其中該第三區段具有一駝峰形狀。

11.一種半導體元件，包括：

一柵極區域；以及

一源極/漏極區域，包括：

一第一源極/漏極終端；

一第二源極/漏極終端；以及

一第三源極/漏極終端，

其中該第一、第二與第三源極/漏極終端彼此分離，并且該第一、第二與第三源極/漏極終端各自未與該柵極區域重疊，

其中該源極/漏極區域進一步包括一第一區段、一第二區段、一第三區段，該第二區段平行于該第一區段并且與該第一區段分離，該第三區段用以將該第一區段連接至與該第一區段分離的該第二區段，該第三區段的一端部與該第一區段的不同端部之間的一部份接觸；該第一源極/漏極終端及該第二源極/漏極終端分別連接至該第一區段的所述不同端部；該第三源極/漏極終端連接至該第二區段的一端部；該柵極區域與該第一區段、該第二區段及該第三區段的三者中的每一者相互交疊放置；該柵極區域及該第三區段的一者沿著一方向直接設置在該柵極區域及該第三區段的另一者上方，該柵極區域及該第三區段的所述一者在該方向上正交地投影至該柵極區域及該第三區段的所述另一者；以及，該柵極區域共通于該源極/漏極區域的該第一區段、該第二區段及該第三區段。

12.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第一源極/漏極終端與該柵極區域定義一第一晶體管，該第二源極/漏極終端與該柵極區域定義一第二晶體管，以及該第三源極/漏極終端與該柵極區域定義一第三晶體管。

13.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第一區段于一第一方向自該第一源極/漏極終端延伸至該第二源極/漏極終端。