[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710828109.8
• 申請(qǐng)日: 2017-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107731793B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃志敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 建榮半導(dǎo)體(深圳)有限公司;建榮集成電路科技(珠海)有限公司;珠海煌榮集成電路科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 44370 深圳市華騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 彭年才

1.一種半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括位于第一金屬層的跳線金屬帶(51)、位于第二金屬層的第一螺旋線圈(52)以及位于第二金屬層的第二螺旋線圈(53)，所述第一螺旋線圈(52)和所述第二螺旋線圈(53)的繞制的方向相同；所述第一螺旋線圈(52)和所述第二螺旋線圈(53)繞制的線圈數(shù)均至少為兩圈，所述第一螺旋線圈(52)的起點(diǎn)連接所述跳線金屬帶(51)的第一端，所述第二螺旋線圈(53)的起點(diǎn)連接所述跳線金屬帶(51)的第二端，所述第一螺旋線圈(52)的終點(diǎn)連接所述第二螺旋線圈(53)的終點(diǎn)；所述第一螺旋線圈(52)或所述第二螺旋線圈(53)的最外側(cè)的線圈上設(shè)置有開(kāi)口(54)，位于所述開(kāi)口(54)兩端的線圈分別作為所述8字形電感結(jié)構(gòu)的輸入端和輸出端，跳線金屬帶與螺旋線圈的連接通孔數(shù)量少。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一螺旋線圈(52)和所述第二螺旋線圈(53)繞制的線圈數(shù)相同。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層位于所述第二金屬層的上方。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一螺旋線圈(52)的起點(diǎn)處設(shè)置有第一連接通孔(55)，所述第二螺旋線圈(53)的起點(diǎn)處設(shè)置有第二連接通孔(56)；所述第一螺旋線圈(52)的起點(diǎn)連接所述跳線金屬帶(51)的第一端的部位為第一連接通孔(55)，所述第二螺旋線圈(53)的起點(diǎn)連接所述跳線金屬帶(51)的第二端的部位為第二連接通孔(56)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述8字形電感結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)連接點(diǎn)，所述多個(gè)連接點(diǎn)設(shè)置于所述第一螺旋線圈(52)和所述第二螺旋線圈(53)上，且關(guān)于所述跳線金屬帶(51)成中心對(duì)稱；所述第一螺旋線圈(52)和所述第二螺旋線圈(53)的材料包括第一金屬和第二金屬，所述第一金屬的投影范圍與所述第二金屬的投影范圍相同或所述第一金屬的投影范圍包含所述第二金屬的投影范圍，所述第一金屬通過(guò)所述多個(gè)連接點(diǎn)與所述第二金屬連接。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一螺旋線圈(52)和所述第二螺旋線圈(53)的材料為銅或鋁。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述跳線金屬帶(51)的材料為銅或鋁。

8.一種包括如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體片上集成的8字形電感結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層厚度為1.5μm～6μm；所述第二金屬層包括第一子金屬層或第一子金屬層和與第一子金屬層相鄰的第二子金屬層。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的最高金屬層；所述第一子金屬層為所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的次高金屬層；所述第一螺旋線圈(52)和第二螺旋線圈(53)包括第一金屬，所述第一金屬位于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的次高金屬層。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二子金屬層為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的次高金屬層的下一層或最高金屬層，所述第一螺旋線圈(52)和所述第二螺旋線圈(53)還包括第二金屬，所述第二金屬位于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的次高金屬層的下一層或最高金屬層。