[發(fā)明專(zhuān)利]編程非易失性存儲(chǔ)器的方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710826510.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109509503B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古紹泓;林大衛(wèi);程政憲;李致維;蔡文哲 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C16/10 | 分類(lèi)號(hào): | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 編程 非易失性存儲(chǔ)器 方法 存儲(chǔ)器 系統(tǒng) | ||
一種編程非易失性存儲(chǔ)器的方法及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)。非易失性存儲(chǔ)器的多個(gè)存儲(chǔ)單元的每一存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)具有至少2位的數(shù)據(jù)。此方法包括以下步驟。提供至少一編程脈沖以編程多個(gè)存儲(chǔ)單元的一目標(biāo)存儲(chǔ)單元。提供至少一編程驗(yàn)證脈沖以驗(yàn)證目標(biāo)存儲(chǔ)單元是否為編程成功。判斷目標(biāo)存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否大于或等于編程驗(yàn)證電壓。當(dāng)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的閾值電壓大于或等于編程驗(yàn)證電壓,設(shè)定目標(biāo)存儲(chǔ)單元為編程成功。接著,對(duì)編程成功的存儲(chǔ)單元執(zhí)行一再驗(yàn)證程序。再驗(yàn)證程序包括判斷目標(biāo)存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否大于或等于一再驗(yàn)證電壓。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種非易失性存儲(chǔ)器,且特別是有關(guān)于一種編程非易失性存儲(chǔ)器的方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。
背景技術(shù)
近年來(lái),非易失性存儲(chǔ)器廣泛的使用于各種電子設(shè)備,例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等。非易失性存儲(chǔ)器包括了一存儲(chǔ)單元數(shù)組。非易失性存儲(chǔ)器的體積越來(lái)越小,而更多的位被存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元中以增加存儲(chǔ)器的密度(density)。使用多階存儲(chǔ)單元(multi-level cell,MLC)技術(shù)以提高存儲(chǔ)器密度。
依據(jù)量子力學(xué),當(dāng)存儲(chǔ)器的體積愈小,存儲(chǔ)器中的量子的影響就愈大。讀取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元時(shí)的噪聲變動(dòng)(noise fluctuation)將會(huì)影響存儲(chǔ)器讀取時(shí)的可靠性。
因此,需要一個(gè)編程非易失性存儲(chǔ)器的方法及一存儲(chǔ)器系統(tǒng),以減少讀取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元時(shí)的噪聲變動(dòng)的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種編程非易失性存儲(chǔ)器的方法及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)。通過(guò)本發(fā)明,施加一再驗(yàn)證脈沖至已編程成功的非易失存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元,并且施加一再編程脈沖至已編程成功的存儲(chǔ)單元中的部分目標(biāo)存儲(chǔ)單元,以編程這些目標(biāo)存儲(chǔ)單元及提高這些目標(biāo)存儲(chǔ)單元的閾值電壓。包含這些目標(biāo)存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布將被縮短且變得較為緊密,可降低讀取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元時(shí)的噪聲變動(dòng)的影響。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提出一種在編程期間編程非易失性存儲(chǔ)器的方法。該非易失性存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。部分這些存儲(chǔ)單元的每一存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)至少具有2位的數(shù)據(jù)。該方法包括以下步驟。提供至少一編程脈沖以編程這些存儲(chǔ)單元的一目標(biāo)存儲(chǔ)單元。施加至少一編程驗(yàn)證脈沖至該目標(biāo)存儲(chǔ)單元。在該目標(biāo)存儲(chǔ)單元的一閾值電壓大于或等于一編程驗(yàn)證電壓的情況下,設(shè)定該目標(biāo)存儲(chǔ)單元為編程成功。以及在該目標(biāo)存儲(chǔ)單元被設(shè)定為編程成功的情況下,對(duì)該目標(biāo)存儲(chǔ)單元執(zhí)行一再驗(yàn)證操作,該再驗(yàn)證操作包括施加至少一再驗(yàn)證脈沖至該目標(biāo)存儲(chǔ)單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提出一種在編程期間編程非易失性存儲(chǔ)器的方法。該非易失性存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。部分這些存儲(chǔ)單元的每一存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)至少具有2位的數(shù)據(jù)。該方法包括以下步驟。提供至少一編程脈沖。提供至少一編程驗(yàn)證脈沖。使能一編程成功信號(hào)。以及在使能該編程成功信號(hào)后,提供至少一再驗(yàn)證脈沖。
為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特舉實(shí)施例,并配合所附附圖詳細(xì)說(shuō)明如下:
附圖說(shuō)明
圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的多階存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布示意圖。
圖1B繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的多階存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布示意圖。
圖1C繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的讀取存儲(chǔ)單元時(shí)的噪聲變動(dòng)的示意圖。
圖2繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方塊圖。
圖3繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的編程非易失性存儲(chǔ)器的方法的流程圖。
圖4繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的信號(hào)波形圖。
【符號(hào)說(shuō)明】
20:存儲(chǔ)器系統(tǒng)
202:控制器
204:非易失性存儲(chǔ)器數(shù)組
S302~S324:流程步驟
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