[發明專利]一種紅外焦平面探測器及其制備方法

有效

• 申請號: 201710825905.6
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN109509809B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 白謝暉
• 申請（專利權）人: 浙江英孚萊德光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/101
• 代理公司: 北京清源匯知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11644
• 代理人: 馮德魁

1.一種紅外焦平面探測器的制造方法，其特征在于包括：

提供形成有包含紅外焦平面探測器芯片的銻化銦晶片，所述紅外焦平面探測器芯片包含有復數個紅外探測單元；

在所述銻化銦晶片上，且所述紅外焦平面探測器芯片有源區與相鄰紅外焦平面探測器芯片劃片區之間區域形成隔離槽；

在所述紅外焦平面探測器芯片的紅外探測單元上形成倒裝連接結構；

通過劃片工藝將所述銻化銦晶片上的紅外焦平面探測器芯片切割分離；

將通過所述劃片工藝獲得的紅外焦平面探測器芯片通過倒裝連接結構與讀出電路倒裝互連；

其中，所述方法還包括：對所述隔離槽進行清洗，去除損傷；

所述將通過所述劃片工藝獲得的紅外焦平面探測器芯片通過倒裝連接結構與讀出電路倒裝互連后還包括：

將所述紅外焦平面探測器芯片的背部減薄；

所述將所述紅外焦平面探測器芯片的背部減薄具體為：

將所述紅外焦平面探測器芯片的背部減薄至所述隔離槽底部露出，即將隔離槽兩側完全斷開。

2.根據權利要求1所述的紅外焦平面探測器的制造方法，其特征在于，所述在所述銻化銦晶片上，且所述紅外焦平面探測器芯片有源區與相鄰紅外焦平面探測器芯片劃片區之間區域形成隔離槽；包括：

在所述銻化銦晶片上涂布光刻膠；

通過光刻工藝在紅外焦平面探測器芯片有源區與相鄰紅外焦平面探測器芯片劃片區之間形成開槽圖形；

通過腐蝕液腐蝕工藝腐蝕所述銻化銦晶片的開槽圖形區域，在開槽圖形處腐蝕出隔離槽；

去除剩余光刻膠。

3.根據權利要求2所述的紅外焦平面探測器的制造方法，其特征在于，所述通過腐蝕液腐蝕工藝腐蝕所述銻化銦晶片，在開槽圖形處腐蝕出隔離槽具體為：

通過酸腐蝕溶液腐蝕工藝腐蝕所述銻化銦晶片，在開槽圖形處腐蝕出隔離槽。

4.根據權利要求3所述的紅外焦平面探測器的制造方法，其特征在于，所述酸腐蝕溶液為氫氟酸。

5.根據權利要求1至4任一權利要求所述的紅外焦平面探測器的制造方法，其特征在于，所述隔離槽的深度不小于15um，寬度為8um至15um。

6.根據權利要求5所述的紅外焦平面探測器的制造方法，其特征在于，所述隔離槽寬度為10um至12um。

7.根據權利要求1所述的紅外焦平面探測器的制造方法，其特征在于，所述在所述銻化銦晶片上，且所述紅外焦平面探測器芯片有源區與相鄰紅外焦平面探測器芯片劃片區之間區域形成隔離槽；包括：

在所述銻化銦晶片上涂布光刻膠；

通過光刻工藝在紅外焦平面探測器芯片有源區與相鄰紅外焦平面探測器芯片劃片區之間形成開槽圖形；

通過等離子體刻蝕工藝刻蝕或激光刻蝕銻化銦晶片開槽圖形區域，在開槽圖形處腐蝕出隔離槽；

去除剩余光刻膠。

8.一種用于紅外焦平面探測器的半導體結構，其特征在于，包括：包含有紅外焦平面探測器芯片的銻化銦晶片，所述紅外焦平面探測器芯片包含有復數個紅外探測器單元；

其中，在所述銻化銦晶片上，且所述紅外焦平面探測器芯片有源區與相鄰紅外焦平面探測器芯片劃片區之間區域形成有隔離槽，所述隔離槽需要清洗以去除損傷；

在所述紅外焦平面探測器芯片有源區與相鄰紅外焦平面探測器芯片劃片區之間區域形成有隔離槽后還包括：

將所述紅外焦平面探測器芯片的背部減薄；

所述將所述紅外焦平面探測器芯片的背部減薄具體為：

將所述紅外焦平面探測器芯片的背部減薄至所述隔離槽底部露出，即將隔離槽兩側完全斷開。