[發明專利]畫素結構及陣列基板

有效

• 申請號: 201710822527.6
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107479289B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 陳帥
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明實施例公開了一種畫素結構及陣列基板，該畫素結構包括：像素單元、數據線以及第一掃描線；所述像素單元包含薄膜晶體管TFT和像素電極；所述TFT的柵極與所述第一掃描線電連接；所述TFT的漏極和源極中的一端與所述數據線電連接，另一端與所述像素電極電連接；所述像素電極與公共電極之間形成液晶電容；所述像素電極與第二掃描線之間形成儲存電容，所述第二掃描線為所述第一掃描線的下一條掃描線。所述TFT開啟后，所述數據線對所述像素電極進行充電，在充電的過程中，所述第二掃描線上的驅動電壓從第一電壓調整為第二電壓。實施本發明實施例，可改善充電性能，提高顯示效果。

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，具體涉及一種畫素結構及陣列基板。

背景技術

在當今信息社會，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，TFT LCD)已經廣泛應用于我們生活的各個方面，從小尺寸的手機、攝像機、數碼相機，中尺寸的筆記本電腦、臺式機，大尺寸的家用電視到大型投影設備等，TFTLCD在輕、薄優勢的基礎上，加上完美的畫面及快速的響應特性，確保其在顯示器市場上獨占鰲頭。

在主動矩陣式液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)中，每個像素都具有一個薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，其柵極連接至水平方向的掃描線，漏極連接至垂直方向的數據線，而源極則連接至像素電極。在水平方向的同一條掃描線上，因為所有TFT的柵極都連接在一起，所以施加的電壓是連動的；若某一條掃描線上施加足夠大的正電壓，則這條掃描線上所有的TFT皆會被打開；此時該條掃描線上的像素電極，會與垂直方向的數據線連接，經由數據線送入對應的視頻信號，以將像素電極充電至適當的電壓；接著施加足夠大的負電壓，關閉TFT，直到下次再重新寫入信號，其間使得電荷保存在液晶電容上。此時再啟動下一條水平掃描線，送入其對應的視頻信號。如此依序將整個畫面的視頻數據寫入，再重新自第一條重新寫入信號，液晶面板中的像素陣列如圖1所示。

全高清液晶面板的分辨率通常為1920*1080，在畫面刷新頻率為60Hz的情況下，每一行掃描線的開啟時間約為1/(60*1080)≈15.4ms。隨著液晶面板的尺寸越多越大，分辨率越做越高，每一行掃描線的開啟時間會被進一步壓縮，由此可能會引發液晶面板充電不足情況的發生。事實上，為了避免像素電位錯充，像素信號的寫入時間通常會比掃描線的開啟時間更短，這將加劇液晶面板充電不足情況的發生，如圖2所示，其中，t1為掃描線的開啟時間，t2為像素信號的寫入時間。

解決上述問題的通常手段是增加掃描線和數據線的線寬以改善充電不足的情況，但是這種做法會損失畫素的開口率，降低液晶面板的穿透率。

發明內容

本發明實施例提供一種畫素結構及陣列基板，可改善充電性能，提高顯示效果。

本發明實施例第一方面提供了一種畫素結構，包括：

像素單元、數據線以及第一掃描線；所述像素單元包含薄膜晶體管TFT和像素電極；

所述TFT的柵極與所述第一掃描線電連接；所述TFT的漏極和源極中的一端與所述數據線電連接，另一端與所述像素電極電連接；所述像素電極與公共電極之間形成液晶電容；所述像素電極與第二掃描線之間形成儲存電容，所述第二掃描線為所述第一掃描線的下一條掃描線；

在所述第一掃描線施加在所述TFT的電壓超過起始電壓后，所述TFT的源極和所述TFT的漏極之間形成導通的通道；所述數據線在所述通道形成后的第一時長內通過所述通道對所述像素電極進行充電；所述第一時長按照時間順序分為第二時長和第三時長，在所述第二時長內所述第二掃描線保持在第一電壓，在所述第三時長內所述第二掃描線保持在第二電壓，所述第一電壓低于或高于所述第二電壓，所述第二電壓為關閉所述TFT的電壓；所述起始電壓為所述TFT的源極和漏極導通所需的最低電壓。