[發(fā)明專利]極耳錯位控制方法及卷繞裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710822282.7
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN109494342B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王藝若;李國棟;廖能武;梁衍學(xué);常洪文;謝超
• 申請（專利權(quán)）人: 寧德時代新能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01M4/04
• 分類號: H01M4/04
• 代理公司: 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

本申請涉及極耳錯位控制方法及卷繞裝置。極耳錯位控制方法包括：步驟S20，獲取卷針從第一計時零點到T₁時刻所轉(zhuǎn)過的第一角度值θ₁，所述T₁時刻為檢測到即將卷繞于卷針的第一極耳的這一時刻，步驟S40，判斷所述第一角度值θ₁是否等于第一預(yù)設(shè)值θ₀₁，如果是，重復(fù)步驟S20，反之，進入步驟S60，步驟S60，調(diào)節(jié)噴涂于電極組件的涂層的厚度。上述方法以第一極耳為例，當(dāng)?shù)谝粯O耳存在錯位現(xiàn)象，通過控制噴涂在電極組件的涂層的厚度，以調(diào)節(jié)卷針轉(zhuǎn)過相同角度時第一極片卷繞于卷針的長度不同，從而使得第一極耳的位置向預(yù)想的方向產(chǎn)生偏移，進而使得第一極耳的錯位得到糾正。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及儲能器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及極耳錯位控制方法及卷繞裝置。

背景技術(shù)

為了提高電極組件的能量密度，通常將電極組件的尺寸做的相對較大。對于卷繞式的電極組件而言，則需要增加極片卷繞的圈數(shù)，從而提高卷繞式電極組件的能量密度。

通常，極片上未涂覆活性物質(zhì)漿料的部分經(jīng)過切制形成極耳，在極片的卷繞過程中，各極耳層疊在一起。然而，當(dāng)極片的卷繞圈數(shù)增多時，極耳層疊時就會出現(xiàn)明顯的錯位現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┝艘环N極耳錯位控制方法及卷繞裝置，能夠改善卷繞過程中極耳的錯位現(xiàn)象。

本申請的第一方面提供了一種極耳錯位控制方法，包括：

步驟S20，獲取卷針從第一計時零點到T₁時刻所轉(zhuǎn)過的第一角度值θ₁，所述T₁時刻為檢測到即將卷繞于卷針的第一極耳的這一時刻；

步驟S40，判斷所述第一角度值θ₁是否等于第一預(yù)設(shè)值θ₀₁，如果是，重復(fù)步驟S20，反之，進入步驟S60；

步驟S60，調(diào)節(jié)噴涂于電極組件的涂層的厚度；

和/或

步驟S20’，獲取卷針從第二計時零點到T₂時刻所轉(zhuǎn)過的第二角度值θ₂，所述T₂時刻為檢測到即將卷繞于卷針的第二極耳的這一時刻；

步驟S40’，判斷所述第二角度值θ₂是否等于第二預(yù)設(shè)值θ₀₂，如果是，重復(fù)步驟S20’，反之，進入步驟S60’；

步驟S60’，調(diào)節(jié)噴涂于電極組件的涂層的厚度。

可選地，在所述步驟S40之后還包括：

步驟S42，判斷所述第一角度值θ₁是否小于第一預(yù)設(shè)值θ₀₁，如果是，進入步驟S44，反之，進入步驟S46；

步驟S44，減小所述涂層的厚度；

步驟S46，增大所述涂層的厚度；

和/或

在所述步驟S40’之后還包括：

步驟S42’，判斷所述第二角度值θ₂是否小于第二預(yù)設(shè)值θ₀₂，如果是，進入步驟S44’，反之，進入步驟S46’；

步驟S44’，減小所述涂層的厚度；

步驟S46’，增大所述涂層的厚度。

可選地，在所述步驟S60和/或步驟S60’中，涂層噴涂在電極組件的隔離膜上，所述調(diào)節(jié)噴涂于電極組件的涂層的厚度具體為調(diào)節(jié)噴涂于隔離膜上的涂層的厚度。