[發(fā)明專利]一種蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710821007.3 | 申請日: | 2017-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN107698174B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭明;王景宇;周玲;姜超 | 申請(專利權(quán))人: | 大連大學(xué) |
| 主分類號: | C03C17/42 | 分類號: | C03C17/42;C08J5/18;C08L89/00;G02B1/00 |
| 代理公司: | 大連智高專利事務(wù)所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 胡景波 |
| 地址: | 116622 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 蠶絲 蛋白 擦寫 光子 晶體 制備 方法 | ||
1.一種蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙的制備方法,其特征在于:具體包括如下步驟:
(1)蠶絲蛋白的提取:對蠶繭層進(jìn)行兩次脫膠、一次鹽解,并且流水透析72h,得到4.0vt%-4.5vt%的蠶絲蛋白溶液,然后,將蠶絲蛋白溶液進(jìn)行濃縮,制成7vt%-8vt%的蠶絲蛋白水溶液;
(2)TiO2溶膠的制備:取42體積份無水乙醇,加入4體積份鈦酸四丁酯,并在攪拌過程中滴加2體積份冰醋酸,在25-28℃下磁力攪拌;
(3)旋涂制備可擦寫光子晶體紙:在玻璃片上交替沉積蠶絲蛋白水溶液和TiO2溶膠,具體步驟為:滴加蠶絲蛋白溶液為0.5體積份,甩膠時(shí)間50s,轉(zhuǎn)速400rpm,然后在80℃烘箱中加熱10min,再滴加0.25體積份的TiO2溶膠,在轉(zhuǎn)速為400rpm的條件下旋涂甩膠50s,再在烘箱中80℃加熱10min,交替重復(fù)沉積得到蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙;
所述的蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙使用時(shí),以Na2CO3溶液作為書寫液體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙的制備方法,其特征為:所述脫膠配制的無水碳酸鈉溶液濃度為5wt%,鹽解配制的無水氯化鈣溶液為50wt%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙的制備方法,其特征為:所述的脫膠時(shí)間為30min,鹽解時(shí)間為5min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙的制備方法,其特征為:所述步驟(2)攪拌條件為:在25-28℃下磁力攪拌4h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙的制備方法,其特征為:所述步驟(3)玻璃片要經(jīng)過如下次序處理:
1)依次在丙酮、乙醇中分別超聲波處理30min;
2)浸泡于由98vt%H2SO4與30vt%H2O2按照體積比3:1制備的混合液中,靜置2h;
3)去離子水超聲波處理30min;
4)氮?dú)饬飨赂稍锾幚怼?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蠶絲蛋白可擦寫光子晶體紙的制備方法,其特征為:所述的旋涂第一層為蠶絲蛋白溶液,最后一層為TiO2溶膠,總層數(shù)為6。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大連大學(xué),未經(jīng)大連大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710821007.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種送藥車上的防藥瓶傾倒裝置
- 下一篇:一種污水處理用污泥添油混合器
- 單光子探測器用于分辨光子數(shù)的測量方法
- 利用光子調(diào)控增強(qiáng)光子計(jì)數(shù)激光雷達(dá)探測靈敏度的方法和系統(tǒng)
- 光子電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)
- 測量熒光量子產(chǎn)率的方法及裝置
- 用于光子掃描裝置的脈寬調(diào)制
- 用于使用糾纏光子在量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)中空脈沖減輕的方法和系統(tǒng)
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測深方法及裝置
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測深方法及裝置
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測深方法及裝置
- 光子半導(dǎo)體裝置及其制造方法





