[發(fā)明專利]一種基于磁耦合饋電結(jié)構(gòu)的寬帶雙極化微帶天線在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710813383.8 | 申請日: | 2017-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN107394387A | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 歐陽駿 | 申請(專利權(quán))人: | 成都德杉科技有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52 |
| 代理公司: | 成都巾幗知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司51260 | 代理人: | 邢偉 |
| 地址: | 611731 四川省成都市中國(四川)*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 耦合 饋電 結(jié)構(gòu) 寬帶 極化 微帶 天線 | ||
1.一種基于磁耦合饋電結(jié)構(gòu)的寬帶雙極化微帶天線,其特征在于:包括一個(gè)水平放置的金屬反射板(1)、一個(gè)水平放置的水平介質(zhì)基板(2)和兩個(gè)豎直放置的豎直介質(zhì)基板(3),水平介質(zhì)基板(2)位于金屬反射板(1)的上方,兩個(gè)豎直介質(zhì)基板(3)設(shè)置于水平介質(zhì)基板(2)與金屬反射板(1)之間,兩個(gè)豎直介質(zhì)基板(3)中的第一豎直介質(zhì)基板(4)的中部的上側(cè)具有第一凹槽(5),兩個(gè)豎直介質(zhì)基板(3)中的第二豎直介質(zhì)基板(6)的中部的下側(cè)具有第二凹槽(7),兩個(gè)豎直介質(zhì)基板(3)相互垂直,且第一凹槽(5)與第二凹槽(7)相互插接,水平介質(zhì)板的下表面貼覆有正方形微帶貼片(10),所述的金屬反射板(1)、水平介質(zhì)基板(2)、兩個(gè)豎直介質(zhì)基板(3)和正方形微帶貼片(10)均具有沿垂直方向延伸的中心對稱軸,且所述的各中心對稱軸為同一直線,每個(gè)豎直介質(zhì)基板(3)的兩個(gè)側(cè)表面中,一個(gè)側(cè)表面印刷有微帶線,另一個(gè)側(cè)表面印刷有金屬地板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于磁耦合饋電結(jié)構(gòu)的寬帶雙極化微帶天線,其特征在于:所述的第一豎直介質(zhì)基板(4)的金屬地板的上邊緣與第一豎直介質(zhì)基板(4)的上邊緣之間具有第一間隙(8),第一豎直介質(zhì)基板(4)的金屬地板的中部具有連通所述第一間隙(8)的第一垂直開口(9),第一垂直開口(9)的下端連通有水平向兩側(cè)延伸的水平槽;
所述的第二豎直介質(zhì)基板(6)的金屬地板的上邊緣與第二豎直介質(zhì)基板(6)的上邊緣之間具有第二間隙(11),第二豎直介質(zhì)基板(6)的金屬地板的中部具有連通所述第二間隙(11)的第二垂直開口(12),第二垂直開口(12)的下端連通有水平向兩側(cè)延伸的水平槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于磁耦合饋電結(jié)構(gòu)的寬帶雙極化微帶天線,其特征在于:所述的水平介質(zhì)基板(2)和兩個(gè)豎直介質(zhì)基板(3)均為40 mil厚,相對介電常數(shù)為4.4,損耗角正切為 0.02的FR4。
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