[發明專利]微發光二極管結構及微發光二極管的制造方法

有效

• 申請號: 201710812047.1
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN109494287B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 郭修邑;陳俊榮;許國翊
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種微發光二極管的制造方法，其特征在于，該方法包含:

提供一基板；

形成一III-V族半導體疊層于該基板之上；

形成一犧牲層于該III-V族半導體疊層上，使得該III-V族半導體疊層位于該基板與該犧牲層之間，其中該犧牲層包含一第一N型III-V族半導體層，且該第一N型III-V族半導體層具有一第一硅摻雜濃度大于3x10¹⁹cm^-3，該III-V族半導體疊層包含一第二N型III-V族半導體層，且該第二N型III-V族半導體層具有一第二硅摻雜濃度為1x10¹⁸cm^-3至1x10¹⁹cm^-3；

形成一微發光二極管結構于該犧牲層上，且該微發光二極管結構的一底面寬度小于該犧牲層的一頂表面寬度，以暴露該犧牲層的一頂表面的一部分；

形成一絕緣層連續地覆蓋該III-V族半導體疊層、該犧牲層、該微發光二極管結構的側壁、以及該犧牲層的該頂表面的該部分；

移除位于該犧牲層的該頂表面的該部分上的該絕緣層，以暴露該犧牲層的該頂表面的該部分；

移除該犧牲層，使該絕緣層的一部分形成一支撐架，且該支撐架將該微發光二極管結構懸空地支撐于該III-V族半導體疊層上方；

使該絕緣層的該支撐架斷裂，而形成單獨的一微發光二極管。

2.根據權利要求1所述的微發光二極管的制造方法，其特征在于，該微發光二極管結構包含一第三N型III-V族半導體層，且該第三N型III-V族半導體層具有一第三硅摻雜濃度為1x10¹⁸cm^-3至1x10¹⁹cm^-3。

3.根據權利要求1所述的微發光二極管的制造方法，其特征在于，該絕緣層具有一厚度為至

4.根據權利要求1所述的微發光二極管的制造方法，其特征在于，使該絕緣層的該支撐架斷裂后，將單獨的該微發光二極管設置于一固晶基板上。