[發明專利]一種基于模型解耦的智能變電站改擴建變更影響分析方法

有效

• 申請號: 201710810506.2
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN107545116B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 余祥坤;董懷普;史正陽;紀陵;蔣衍君;魯萬新;劉文彪;羅志娟;芮國俊
• 申請（專利權）人: 湖北省電力勘測設計院;南京國電南自電網自動化有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F30/18;G06F113/04
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;俞翠華

1.一種基于模型解耦的智能變電站改擴建變更影響分析方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：解析原始SCD文件，獲取間隔信息，從而得到間隔設備；

S2：確定改擴建受影響的間隔設備，對無關間隔和影響間隔進行解耦，獲得無關間隔模型SCD文件和影響間隔模型SCD文件；

S3：對影響間隔模型SCD文件添加擴建間隔模型，并對擴建間隔模型進行相關配置，得到新的影響間隔模型SCD文件；

S4：將新的影響間隔模型SCD文件與無關間隔模型SCD文件進行合并，組合成一個完整的新SCD文件；

S5：通過對原始SCD文件和新SCD文件比對，進行影響分析，確定波及范圍，生成分析報告，從而完成基于模型解耦的智能變電站改擴建變更影響分析；

所述步驟S3具體包括以下步驟：

S3.1：在影響間隔模型SCD文件中，創建擴建間隔元素，同時在擴建間隔元素下創建虛擬一次導電設備Conducting Equipment；

S3.2：在創建的擴建間隔元素中添加擴建間隔所需的IED設備模型；

S3.3：配置前述擴建間隔內的虛回路信息以及通信配置信息，形成擴建間隔模型SCD文件；

S3.4：配置前述擴建間隔模型SCD文件與影響間隔模型SCD文件之間的虛回路信息，其中，對于影響間隔已經存在的虛回路信息，限制進行修改，保證已經配置完成的不進行修改；

所述步驟S4具體包括以下步驟：

S4.1：分別獲取無關間隔模型SCD文件、新的影響間隔模型SCD文件中的間隔信息，并進行比對，獲得新增的擴建間隔元素；

S4.2：將無關間隔模型SCD文件添加到需要合并的新SCD文件中；

S4.3：將擴建間隔新增的IED設備模型添加到新SCD文件中，同時將新增的通信配置信息添加到新SCD文件相應位置中；

S4.4：比對原影響間隔模型 SCD文件和新的影響間隔模型SCD文件，獲得添加的虛回路信息，并將該虛回路信息添加到新SCD文件中，保存添加的內容，完成為改擴建形成的新的SCD文件；

所述步驟S5具體包括以下步驟：

S5.1：對原始SCD文件和新SCD文件進行比對，比對內容包括IED設備通信配置信息和虛回路信息；

S5.2：對GOOSE鏈路變更范圍和SV鏈路變更范圍分別定位比對到設定的等級；

S5.3：對比對結果進行確認，確認影響范圍，對于解耦前的設備沒有影響到以及發生變更；

S5.4：根據比對結果，導出分析報告，在報告中包含所有變更的IED設備的基本信息，包括：虛回路變更信息、虛回路發送端信息和接收端信息以及虛回路發送方向，方便現場調試。

2.根據權利要求1所述的一種基于模型解耦的智能變電站改擴建變更影響分析方法，其特征在于：所述步驟S1具體包括以下步驟：

S1.1：解析原始SCD文件，若不存在變電站Substation元素信息和間隔Bay元素信息，則轉向步驟S1.2，否則直接轉向步驟S1.4；

S1.2：創建變電站Substation元素，在變電站Substation元素下創建與變電站相對應的電壓等級Voltage Level元素，然后在電壓等級Voltage Level元素下創建相對應的間隔Bay元素；

S1.3：在間隔Bay元素下創建虛擬一次導電設備Conducting Equipment；

S1.4：將SCD文件中所有的IED設備添加到相應的間隔中，并放入虛擬一次導電設備Conducting Equipment下；

S1.5：從變電站Substation元素信息中獲取電壓等級Voltage Level元素信息和間隔Bay元素信息，從間隔Bay元素中獲取一二次設備綁定信息，進而獲取二次設備信息，最終確定二次設備所屬的間隔，即獲得所有的間隔設備。