[發明專利]一種基于刻蝕輔助生長的三維金屬鈀納米片快速制備方法

有效

• 申請號: 201710796995.0
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107511488B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 金明尚;劉亞明;李祥
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: B22F9/24
• 分類號: B22F9/24;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 田洲

1.一種基于刻蝕輔助生長的三維堆積金屬鈀納米片快速制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)將鈀前驅體溶解于溶劑中；所述溶劑為水；

(2)向步驟(1)中加入氧化刻蝕劑，混合均勻；

(3)向步驟(2)中通入還原性氣體，直到有沉淀析出為止，離心、洗滌得到產物三維堆積金屬鈀納米片；

步驟(2)中使用的氧化刻蝕劑能快速將還原出來的結構不規則的鈀納米顆粒重新刻蝕成離子態；再經由步驟(3)中還原性氣體還原回到原子態并形成片狀結構；

步驟(1)中在溶劑中加入鈀前驅體：0.1～100mg/mL；

步驟(2)中加入刻蝕劑：0.01～100mg/mL；

步驟(3)中所述還原性氣體為一氧化碳；步驟(3)中將一氧化碳氣體通入溶液中，通入速率為0.01～10L/min；

整個三維堆積金屬鈀納米片快速制備過程，總時間為3～60分鐘；合成的三維堆積金屬鈀納米片濃度為0.1～10mg/mL。

2.根據權利要求1所述的一種基于刻蝕輔助生長的三維堆積金屬鈀納米片快速制備方法，其特征在于，步驟(1)中鈀前驅體為鹵鈀酸鹽、鹵化鈀、硫酸鈀、乙酰丙酮鈀、醋酸鈀、硝酸鈀、磷酸鈀或其它鈀化合物。

3.根據權利要求1所述的一種基于刻蝕輔助生長的三維堆積金屬鈀納米片快速制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述氧化刻蝕劑為對金屬鈀納米顆粒具有刻蝕作用的試劑。

4.根據權利要求1或3所述的一種基于刻蝕輔助生長的三維堆積金屬鈀納米片快速制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述氧化刻蝕劑為鹵化物-氧氣刻蝕體系、過氧化物、二價和三價鐵離子化合物、六價鉻化合物、七價錳化合物、羥胺、硝酸或其它包含氧化性的試劑。

5.根據權利要求1所述的一種基于刻蝕輔助生長的三維堆積金屬鈀納米片快速制備方法，其特征在于，三維金屬鈀鈀納米片的厚度為1～5納米。