[發明專利]一種絨面多層膜透明導電玻璃

在審

• 申請號: 201710795754.4
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107611187A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 彭壽;馬立云;姚婷婷;李剛;楊勇;沈洪雪;金克武;王天齊;彭賽奧;甘治平
• 申請（專利權）人: 蚌埠玻璃工業設計研究院
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0224;H01B5/14
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所34113
• 代理人: 陳俊

技術領域

本發明涉及透明導電玻璃制備技術領域，具體是一種絨面多層膜透明導電玻璃。

背景技術

透明導電玻璃由于兼具透明性和導電性，且具備原材料易得、環境友好、化學穩定性好等優點，因此在許多領域，如光電子探測器、光伏器件、薄膜（光電）晶體管、液晶顯示、傳感器、熱反射器等方面都已有重要的應用前景。

而具有精細表面微結構光電玻璃是一類高透過率、低電阻率功能玻璃，是一類可望在薄膜太陽能電池、環境保護材料等方面得到重要應用的新型無機非金屬材料。

在薄膜太陽能電池的窗口層材料的應用中，相較于傳統ZnO基光電功能玻璃，具有微結構ZnO基光電功能玻璃具有更高的透過率和更大的霧度，通過增加窗口層的陷光能力，可延長太陽光在窗口層的光程，從而提高器件對太陽光的吸收，對提高其光轉換效率和穩定性起到關鍵性作用。

發明內容

本發明的目的在于提供一種絨面多層膜透明導電玻璃，該導電玻璃具有高透過率和低電阻率，具有高光轉換效率。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種絨面多層膜透明導電玻璃，包括玻璃基底，所述玻璃基底頂面由下至上依次設有下ZnO基薄膜與上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜表面設有一組離散分布的球坑，使上ZnO基薄膜表面呈凹凸的織構化結構；所述上ZnO基薄膜的厚度小于球坑的直徑。

進一步的，所述球坑為半圓球坑。

進一步的，所述下ZnO基薄膜的厚度為600±50nm。

進一步的，所述上ZnO基薄膜的厚度為200±50nm。

進一步的，所述球坑的直徑為301～1000nm。

本發明的有益效果是，通過離散分布的球坑，在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的織構化結構，從而得到高透過率、低電阻率的多層膜透明導電玻璃；制作時，可以先在下ZnO基薄膜表面制備單層離散的聚苯乙烯小球層，然后利用聚苯乙烯小球層作為掩膜，濺射生長上ZnO基薄膜，之后去除聚苯乙烯小球，即在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的織構化結構；由于聚苯乙烯小球層的直徑與濃度可控，因而使得上ZnO基薄膜表面的微結構可控，調節ZnO基薄膜的霧度。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明：

圖1是本發明的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發明提供一種絨面多層膜透明導電玻璃，包括玻璃基底1，玻璃基底1頂面由下至上依次設有下ZnO基薄膜2與上ZnO基薄膜3，上ZnO基薄膜3表面設有一組離散分布的球坑4，使上ZnO基薄膜3表面呈凹凸的織構化結構；上ZnO基薄膜3的厚度小于球坑4的直徑。作為優選的，所述球坑4為半圓球坑；下ZnO基薄膜2的厚度為600±50nm；上ZnO基薄膜3的厚度為200±50nm；球坑4的直徑為301～1000nm。

制作時，可以先在玻璃基底1磁控濺射下ZnO基薄膜2，然后采用線棒刮涂在下ZnO基薄膜2上制備單層離散的聚苯乙烯小球層，之后利用聚苯乙烯小球層作為掩膜，濺射生長上ZnO基薄膜3，再去除聚苯乙烯小球，即在上ZnO基薄膜3表面形成離散分布的球坑4，得到凹凸的織構化結構。球坑4為半球坑時，陷光作用更強，透過的光不容易反射出去，增加透過率。

將制備得到的多層膜透明導電玻璃分別進行膜厚測試、霧度測試、透過率測試、電阻率測試與XRD測試，膜厚為600～800nm，霧度為21.5%，可見光平均透過率為89.7%，電阻率為4.8*10^-4Ω?cm，XRD圖譜表明ZnO基薄膜在2θ=34.4°附近出現較強衍射峰，對應六角纖鋅礦ZnO結構（002）衍射峰。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制；任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同替換、等效變化及修飾，均仍屬于本發明技術方案保護的范圍內。