[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體裝置封裝的可點(diǎn)焊引線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710795670.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107808867B | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·J·普拉庫希;S·P·格魯姆;D·R·霍伊斯納;S·W·維克托;K·彭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐東升;趙蓉民 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 半導(dǎo)體 裝置 封裝 點(diǎn)焊 引線 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：
至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其附接到引線框架，所述引線框架由具有未受妨礙的全厚度的片材金屬制成并且包括與相鄰的第二子集的引線交替的第一子集的引線，所述子集具有在平面陣列中彼此平行的細(xì)長直引線部分；
聚合化合物的封裝物，其包封所述引線框架，所述第一子集和所述第二子集的所述直引線部分的所述平面陣列位于所述封裝物的表面處，并且所述引線的未包封表面與所述封裝物的所述表面共面；以及
絕緣材料的覆蓋層，其位于所述引線的所述未包封表面的部分上方，所述第一子集的所述引線的已覆蓋部分與所述第二子集的所述引線的相鄰未覆蓋部分交替，并且所述第二子集的所述引線的已覆蓋部分與所述第一子集的所述引線的相鄰未覆蓋部分交替，所述第一子集和所述第二子集的所述引線的所述未覆蓋部分具有用于焊料潤濕的冶金配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣材料的覆蓋層選自包括以下各項(xiàng)的組：聚合基化合物、聚酰亞胺、焊料掩模、氮化硅、二氧化硅和碳化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述聚合基化合物和聚酰亞胺通過噴墨或絲網(wǎng)技術(shù)來印刷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述聚合基化合物和聚酰亞胺是用作焊料掩模的固化化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片是具有輸入連接和接地連接的第一功率MOS場效應(yīng)晶體管和第二功率MOS場效應(yīng)晶體管，所述半導(dǎo)體芯片被組裝在所述引線框架上，并且它們被所述聚合化合物包封。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述封裝物的所述聚合化合物是環(huán)氧基模制化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置是功率塊，所述第一子集的所述引線屬于所述第一功率MOS場效應(yīng)晶體管和所述第二功率MOS場效應(yīng)晶體管的所述輸入連接和所述接地連接，并且所述第二子集的所述引線屬于耦接在所述第一功率MOS場效應(yīng)晶體管和所述第二功率MOS場效應(yīng)晶體管之間的開關(guān)線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一子集的所述細(xì)長直引線部分和相鄰的所述第二子集的所述細(xì)長直引線部分的邊界被選擇，使得從所述第一子集的引線的未包封表面的邊界到相鄰的所述第二子集的引線的未包封表面的最近邊界的最短距離是所述半導(dǎo)體裝置的可應(yīng)用設(shè)計(jì)規(guī)則所允許的最小引腳間距。
9.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：
至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其附接到引線框架，所述引線框架由具有未受妨礙的全厚度的片材金屬制成并且包括與第二子集的引線交替的第一子集的引線，所述子集具有在平面陣列中彼此平行的細(xì)長直引線部分；
聚合化合物的封裝物，其包封所述引線框架，所述第一子集和所述第二子集的所述直引線部分的所述平面陣列位于所述封裝物的表面處，并且所述引線的未包封表面與所述封裝物的所述表面共面；以及
表面層，其具有用于所述引線的所述未包封表面的一些部分的低表面能的冶金配置，所述第一子集的所述引線的低表面能層與相鄰的所述第二子集的所述引線的低表面能層交替，所述低表面能層抑制焊接材料的潤濕。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述表面層選自一組表面金屬化合物，該組表面金屬化合物包括具有氧、氮、碳、硫的化合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片是具有輸入連接和接地連接的第一功率MOS場效應(yīng)晶體管和第二功率MOS場效應(yīng)晶體管，所述半導(dǎo)體芯片被組裝在所述引線框架上，并且它們被所述聚合化合物包封。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述封裝物的所述聚合化合物是環(huán)氧基模制化合物。
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