[發明專利]一種高隔離度大規模陣列合成功率放大器

有效

• 申請號: 201710795317.2
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107623161B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 賈鵬程;孔翔鳴
• 申請（專利權）人: 廣州程星通信科技有限公司
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16;H03F3/60
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 鄭澤萍;胡輝

本發明公開了一種高隔離度大規模陣列合成功率放大器，包括基座以及基座形成的波導腔，波導腔中設有多個疊加的卡，卡包括天線電路板以及設置于天線電路板上的至少一個放大器芯片，天線電路板上設有至少一個天線，每個放大器芯片的輸入端和輸出端分別與一天線的輸入端和輸出端連接，形成一放大通道，且每個放大通道設于波導腔內設的一隔離腔室內。本發明節約了合成空間，在實現大規模陣列合成的情況下，可以大大減少合成功率放大器的整體空間，降低了放大器芯片間的耦合，實現每個放大通道間的高度隔離，而且抑制了腔體內的高階模式，展寬了工作帶寬，可廣泛應用于合成放大器行業中。

技術領域

本發明涉及功率放大器領域，特別是涉及一種高隔離度大規模陣列合成功率放大器。

背景技術

矩形波導內的空間合成放大器由對稱結構的單個“卡”構成，該卡上具有呈對稱結構的多個功率器件，多個功率器件在波導腔內平行分布。但是由于波導腔的寬度有限，每個卡上能夠容納的天線和芯片數量有限。這種結構在頻率高的毫米波段問題更為突出，因為內部空間小，平行疊加導致內部分割后的空間過小，無法放置微波芯片。這樣導致陣列單元的數量很少，形成不了大規模的合成陣列。

發明內容

為了解決上述的技術問題，本發明的目的是提供一種高隔離度大規模陣列合成功率放大器。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種高隔離度大規模陣列合成功率放大器，包括基座以及基座形成的波導腔，所述波導腔中設有多個疊加的卡，所述卡包括天線電路板以及設置于天線電路板上的至少一個放大器芯片，所述天線電路板上設有至少一個天線，每個放大器芯片的輸入端和輸出端分別與一天線的輸入端和輸出端連接，形成一放大通道，且每個放大通道設于波導腔內設的一第一隔離腔室內，所述第一隔離腔室的形狀與天線電路板上的所述放大通道的輪廓形狀相匹配，所述天線電路板的正面設有至少一個刀形電路，且所述刀形電路的刀背位置從波導壁處開始延伸，所述刀形電路的兩末端分別為所述天線電路板的輸入端和輸出端。

進一步，所述多個疊加的卡中，每兩個卡組成一個疊加單元，多個疊加單元平行放置，每個疊加單元的兩個卡之間設有一金屬隔板。

進一步，所述金屬隔板的正面和背面均設有至少一個第二隔離腔室，每個所述第二隔離腔室用于容納一放大通道，疊加單元的兩個卡面對面放置在金屬隔板的兩端。

進一步，所述卡的正面設有所述天線電路板，所述卡的背面設有至少一個第二隔離腔室，每個所述第二隔離腔室用于容納一放大通道，所述多個卡平行放置。進一步，所述至少一個第二隔離腔室的形狀與天線電路板上的至少一個放大通道的輪廓形狀相匹配，且第二隔離腔室還具有供天線的輸入端和輸出端伸出的通道。

進一步，所述天線電路板的背面設有至少一個鋼筆尖電路，所述鋼筆尖電路的尖端位于天線電路板的中間，且逐步向波導腔的波導壁展寬，鋼筆尖電路將波導腔內的電場分割為大小一致、方向相同的兩個場。

本發明的有益效果是：本發明的一種高隔離度大規模陣列合成功率放大器，包括基座以及基座形成的波導腔，波導腔中設有多個疊加的卡，卡包括天線電路板以及設置于天線電路板上的至少一個放大器芯片，天線電路板上設有至少一個天線，每個放大器芯片的輸入端和輸出端分別與一天線的輸入端和輸出端連接，形成一放大通道，且每個放大通道設于波導腔內設的一隔離腔室內。本方案通過設置多個卡進行疊加，節約了合成空間，在實現大規模陣列合成的情況下，可以大大減少合成功率放大器的整體空間。

另外，通過對不同的卡之間設置隔離腔室，可以降低放大器芯片間的耦合，實現每個放大通道間的高度隔離，而且抑制了腔體內的高階模式，展寬了工作帶寬。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。

圖1是本發明的高隔離度大規模陣列合成功率放大器的結構示意圖；