[發明專利]多層陶瓷電容器和多層陶瓷電容器的制造方法有效
| 申請號： | 201710794789.6 | 申請日： | 2017-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN107799303B | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 千輝紀之 | 申請（專利權）人： | 太陽誘電株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多層 陶瓷 電容器 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多層陶瓷電容器，其包括：
多層結構，其中多個陶瓷電介質層中的每一層和多個包括共用材料的內部電極層中的每一層交替層疊，
其中所述共用材料包括Mo，
其中所述共用材料中的Mo濃度小于所述陶瓷電介質層中陶瓷晶粒中的Mo濃度。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中所述陶瓷晶粒中主要組分陶瓷中的Mo濃度為0.2atm％或更高。
3.根據權利要求1或2所述的多層陶瓷電容器，其中所述陶瓷晶粒和所述共用材料的主要組分是鈦酸鋇。
4.根據權利要求1或2所述的多層陶瓷電容器，其中所述內部電極層的主要組分是Ni。
5.一種制造多層陶瓷電容器的方法，其包括：
通過將陶瓷顆粒與Mo化合物混合而形成生片；
通過將所述生片和包括共用材料的用于形成內部電極的導電漿料交替層疊而形成多層結構；和
焙燒所述多層結構，
其中所述共用材料包括Mo，
其中所述生片中相對于所述陶瓷顆粒的主要組分陶瓷的Mo原子濃度大于所述用于形成內部電極的導電漿料的共用材料中相對于主要組分陶瓷的Mo原子濃度。
6.根據權利要求5所述的方法，其中相對于所述生片的陶瓷顆粒的主要組分陶瓷的Mo原子濃度為0.2atm％或更高。
7.根據權利要求5或6所述的方法，其中所述陶瓷顆粒和所述共用材料的主要組分是鈦酸鋇。
8.根據權利要求5或6所述的方法，其中所述用于形成內部電極的導電漿料的主要組分是Ni。
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