[發(fā)明專利]一種復(fù)合隔膜的制備工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710792712.5
• 申請(qǐng)日: 2017-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN107706341B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎旭均;姜斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞塔菲爾新能源科技有限公司;深圳塔菲爾新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01M2/16
• 分類號(hào): H01M2/16;H01M2/14;H01M10/0525
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 潘俊達(dá)

1.一種復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)、將待涂布漿料通過(guò)進(jìn)料口通入涂料槽，涂料槽的頂端設(shè)置有微凹輥，微凹輥的上方傳動(dòng)有基膜，并使微凹輥與基膜之間保持一定間距；

步驟2)、使基膜在導(dǎo)輥的帶動(dòng)下做勻速運(yùn)動(dòng)，并使涂料槽正上方的隔膜張力控制在5～35N；

步驟3)、旋轉(zhuǎn)微凹輥帶料，且使微凹輥的旋轉(zhuǎn)方向與基膜的運(yùn)動(dòng)方向相反，通過(guò)旋轉(zhuǎn)的微凹輥將漿料濺涂在基膜上；

步驟4)、將步驟3)的隔膜經(jīng)過(guò)烘箱烘干直至溶劑全部揮發(fā)，即獲得復(fù)合隔膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：步驟1)中所述微凹輥沿周向上設(shè)置有若干均勻排布的用于帶料的微凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：步驟1)中所述微凹輥與所述基膜的間距控制在5～25mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：步驟1)中所述微凹輥的下周浸入所述涂料槽中，且所述微凹輥浸入涂料槽部分與未浸入涂料槽部分的端面比為1:(2～4)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：步驟1)中所述微凹輥可沿垂直方向上下移動(dòng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：步驟3)中基膜的走帶速度與微凹輥的轉(zhuǎn)速之比為(1～2):1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：步驟4)中的烘干溫度為40～60℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：所述漿料為聚合物漿料，所述聚合物漿料包括PVDF、粘結(jié)劑和溶劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：所述漿料為陶瓷漿料，所述陶瓷漿料包括陶瓷顆粒、粘結(jié)劑和溶劑，所述陶瓷顆粒為三氧化二鋁、二氧化鋯、二氧化鈦、二氧化硅、二氧化錫、二氧化鈰、氧化鈣、氧化鋅、氧化鎂、氧化鈹、碳酸鈣、鈦酸鋇、硫酸鋇、碳化硅、氮化硅、氮化鋁和立方氮化硼中的一種或幾種。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合隔膜的制備工藝，其特征在于：所述陶瓷顆粒的顆粒粒徑為0.01～10μm，平均粒子的粒徑為0.1～5μm。