[發明專利]一種低溫多晶硅面板

在審

• 申請號: 201710791713.8
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN107464806A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 韓約白
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/12
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙)44238
• 代理人: 潘中毅,熊賢卿

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種低溫多晶硅面板。

背景技術

低溫多晶硅面板借著其高分辨率，高遷移率，低功耗等諸多優點已成為了目前平板顯示產品中的明星產品，被廣泛應用在例如蘋果、三星、華為、小米、魅族等各大手機及平板電腦上，但由于低溫多晶硅器件制程復雜，因此，制程中更容易引起ESD(Electro-Static discharge，靜電釋放)問題，而大量的電荷聚集會容易造成面板邊緣柵極和多晶硅膜層炸傷，造成柵極和多晶硅膜層發生短路，從而將柵極信號輸入到多晶硅膜層，引起點類不良，而這一現象多集中出現在面板的邊緣，如何提高面板邊緣像素的抗ESD能力已成為了面板行業工程師研究的熱點之一。

目前，市面上大多數的多晶硅面板在邊緣區域上設置有一列虛擬像素單元，其使用較多的兩種設計方案如下：

1、如圖1a所示，多晶硅面板的邊緣上沒有設置PV孔和ILD孔，即多晶硅膜層與虛擬像素單元之間的層間間隔層(ILD層)不設置開孔，從而將多晶硅膜層與虛擬像素單元之間完全絕緣隔開，且在虛擬像素單元與像素電極之間的鈍化層(PV層)也沒有設置開孔。該種方案的缺點是制程中多晶硅膜層上聚集的靜電聚集時無法釋放，容易引起炸傷。

2、如圖1b所示，多晶硅面板的邊緣上同時設置有PV孔和ILD孔，虛擬像素單元與顯示區域的真實像素單元完全一樣，即在多晶硅膜層與虛擬像素單元之間的層間間隔層(ILD層)上設置有開孔，且在虛擬像素單元與像素電極之間的鈍化層(PV層)設置有開孔。該種方案的缺點是鈍化層上設置有開孔，會導致公共電極與虛擬像素單元之間接通，容易造成多晶硅面板的邊緣出現漏光。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供一種低溫多晶硅面板，可以將多晶硅膜層上聚集的電荷導走，避免多晶硅面板的邊緣炸傷，大幅度提高面板的抗ESD能力，提高產品良率，還可以防止多晶硅面板邊緣出現漏光。

本發明提供的一種低溫多晶硅面板，包括邊緣區域，

所述邊緣區域包括有：多晶硅膜層以及位于所述多晶硅膜層上方的層間間隔層；在所述層間間隔層上設置有一列虛擬像素單元，在該列所述虛擬像素單元上方設置有第一導電薄膜層，所述虛擬像素單元與所述第一導電薄膜層之間通過鈍化層絕緣隔開；

該列所述虛擬像素單元包含有一列薄膜晶體管，以及與所述薄膜晶體管電性連接的用于接入公共信號的數據線；

所述層間間隔層上設置有第一開孔，所述多晶硅膜層通過所述第一開孔與所述數據線電性連接。

優選地，在所述層間間隔層與所述多晶硅膜層之間還設置有柵絕緣層；

所述薄膜晶體管包括：柵極、漏極、源極；

所述柵極位于所述層間間隔層與所述柵絕緣層之間，所述源極和所述漏極位于所述層間間隔層上；

其中，所述第一開孔與所述漏極和所述源極正對，所述柵絕緣層與所述第一開孔正對的位置處設置有第二開孔所述數據線與所述源極電性連接，所述源極和所述漏極均穿過所述第一開孔和所述第二開孔與所述多晶硅膜層連接。

優選地，所述虛擬像素單元為所述邊緣區域最外側的一列像素單元。

優選地，所述數據線輸入端的電壓為0.1～0.4V。

優選地，所述多晶硅膜層下方設置有基板，在所述多晶硅膜層與所述基板之間制備有緩沖層。

優選地，所述層間間隔層上制備有平坦層。

優選地，所述緩沖層包括有SiN和/或SixOy，其中，x≥1，y≥1。

優選地，所述平坦層與所述鈍化層之間制備有第二導電薄膜層。

優選地，所述第一導電薄膜層為像素電極，所述第二導電薄膜層為公共電極。

優選地，所述第一導電薄膜層和所述第二導電薄膜層均為銦錫氧化物半導體透明導電膜。

實施本發明，具有如下有益效果：本發明提供的低溫多晶硅面板，在面板的邊緣區域上，將虛擬像素單元與多晶硅膜層之間的層間間隔層設置開孔，將多晶硅膜層與虛擬像素單元上的數據線電性連接，從而可以通過該數據線將多晶硅膜層上聚集的電荷導走，避免多晶硅面板的邊緣炸傷，大幅度提高面板的抗ESD能力，提高產品良率。其次，還將第一導電薄膜層與虛擬像素單元之間完全絕緣隔開，避免虛擬像素單元與第一導電膜層之間接通，從而防止多晶硅面板邊緣出現漏光。

附圖說明