[發明專利]一種低溫多晶硅面板

在審

• 申請號: 201710791713.8
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN107464806A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 韓約白
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/12
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙)44238
• 代理人: 潘中毅,熊賢卿

1.一種低溫多晶硅面板，包括邊緣區域，其特征在于，

所述邊緣區域包括有：多晶硅膜層(1)以及位于所述多晶硅膜層(1)上方的層間間隔層(2)；在所述層間間隔層(2)上設置有一列虛擬像素單元，在該列所述虛擬像素單元上方設置有第一導電薄膜層(3)，所述虛擬像素單元與所述第一導電薄膜層(3)之間通過鈍化層(4)絕緣隔開；

該列所述虛擬像素單元包含有一列薄膜晶體管，以及與所述薄膜晶體管電性連接的用于接入公共信號的數據線；

所述層間間隔層(2)上設置有第一開孔(13)，所述多晶硅膜層(1)通過所述第一開孔(13)與所述數據線電性連接。

2.根據權利要求1所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，在所述層間間隔層(2)與所述多晶硅膜層(1)之間還設置有柵絕緣層(5)；

所述薄膜晶體管包括：柵極(6)、漏極(8)、源極(7)；

所述柵極(6)位于所述層間間隔層(2)與所述柵絕緣層(5)之間，所述源極(7)和所述漏極(8)位于所述層間間隔層(2)上；

其中，所述第一開孔(13)與所述漏極(8)和所述源極(7)正對，所述柵絕緣層(5)與所述第一開孔(13)正對的位置處設置有第二開孔(14)；

所述數據線與所述源極(7)電性連接，所述源極(7)和所述漏極(8)均穿過所述第一開孔(13)和所述第二開孔(14)與所述多晶硅膜層(1)連接。

3.根據權利要求1所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述虛擬像素單元為所述邊緣區域最外側的一列像素單元 。

4.根據權利要求1所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述數據線輸入端的的電壓為0.1~0.4V。

5.根據權利要求1所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述多晶硅膜層(1)下方設置有基板(10)，在所述多晶硅膜層(1)與所述基板(10)之間制備有緩沖層(9)。

6.根據權利要求1所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述層間間隔層(2)上制備有平坦層(11)。

7.根據權利要求5所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述緩沖層(9)包括有SiN和/或SixOy，其中，x≥1，y≥1。

8.根據權利要求6所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述平坦層(11)與所述鈍化層(4)之間制備有第二導電薄膜層(12)。

9.根據權利要求8所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述第一導電薄膜層(3)為像素電極，所述第二導電薄膜層(12)為公共電極。

10.根據權利要求8所述的低溫多晶硅面板，其特征在于，所述第一導電薄膜層(3)和所述第二導電薄膜層(12)均為銦錫氧化物半導體透明導電膜。