[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201710790384.5
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN108630551A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L25/065
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 王正茂;席勇

1.一種半導體結構，其特征在于，包含：

第一堆疊中介層，包含：

第一中介層，具有第一表面及與其相對的第二表面；

多個第一導電柱，從所述第一中介層的所述第一表面穿透至所述第二表面；

多個第一凸塊，位于所述第一中介層的所述第一表面的一側，并電性連接所述多個第一導電柱，其中所述第一表面具有凈空區域，所述凈空區域無所述多個第一凸塊；以及

第一重分布層，位于所述第一中介層的所述第二表面上；

第一晶片，位于所述第一重分布層的上方，其中所述第一晶片在垂直所述第一表面的方向上與所述第一中介層的所述第一表面的所述凈空區域對齊；以及

多個第二凸塊，連接所述第一重分布層和所述第一晶片。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包含：

載體基板，其上設有所述第一堆疊中介層的所述多個第一凸塊；

第二晶片，位于所述載體基板上，使得所述第二晶片位于所述載體基板與所述第一中介層之間，其中所述第二晶片與所述第一中介層的所述第一表面的所述凈空區域對齊，并存在空隙在所述凈空區域與所述第二晶片之間；以及

多個第三凸塊，連接所述第二晶片和所述載體基板。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，還包含：

第二堆疊中介層，位于所述第一堆疊中介層的上方，且包含：

第二中介層，具有第一表面及與其相對的第二表面；

多個第二導電柱，穿透所述第二中介層；

多個第四凸塊，位于所述第二中介層的所述第一表面的一側，并連接所述第一重分布層和所述多個第二導電柱；以及

第二重分布層位于所述第二中介層的所述第二表面上；以及

第三晶片，位于所述第二重分布層的上方，其中所述第三晶片在垂直所述第一表面的方向上與所述第一中介層的所述第一表面的所述凈空區域對齊。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述多個第一導電柱及所述多個第二導電柱具有相同分布，使得各所述第一導電柱在垂直所述第一中介層的所述第一表面的方向上與各所述第二導電柱對齊。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一堆疊中介層還包含導電墊，所述導電墊在所述第一表面上延伸，并橋接兩個相鄰的所述第一導電柱，其中所述多個第一凸塊中的一個通過所述導電墊等電勢電性連接至所述兩個相鄰的所述第一導電柱。

6.一種半導體結構，其特征在于，包含：

第一堆疊中介層，包含：

第一中介層，具有第一表面及與其相對的第二表面；

多個第一導電柱，從所述第一中介層的所述第一表面穿透至所述第二表面；

多個第一凸塊，位于所述第一中介層的所述第一表面的一側，并電性連接所述多個第一導電柱，其中所述第一表面具有凈空區域，所述凈空區域無所述多個第一凸塊；以及

第一重分布層，位于所述第一中介層的所述第二表面上；

第一晶片，具有第一表面及與其相對的第二表面，所述第一晶片的所述第二表面固定于所述第一中介層的所述第一表面的所述凈空區域；以及

多個第二凸塊位于所述第一晶片的所述第一表面上。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，各所述第一凸塊具有第一接合終端及各所述第二凸塊各具有第二接合終端，且所述多個第一凸塊的所述多個第一接合終端實質上與所述多個第二凸塊的所述多個第二接合終端同高。

8.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，各所述第一凸塊具有第一高度、各所述第二凸塊各具有第二高度且所述第一晶片具有厚度，其中所述多個第一凸塊的所述第一高度實質上與所述第一晶片的所述厚度和所述第二凸塊的所述第二高度的總和相等。

9.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，還包含載體基板，其中所述第一堆疊中介層的所述多個第一凸塊和所述多個第二凸塊接合至所述載體基板。