[發(fā)明專利]輸入信號擺幅增強型信號傳輸電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710783941.0
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107565955B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發(fā)明（設計）人: 陳珍海;黃偉;呂海江;程德明;胡文新;胡一波;汪輔植;朱仙琴;吳翠豐
• 申請（專利權）人: 黃山市祁門新飛電子科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03M1/38
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 葉綠林;楊大慶

1.一種輸入信號擺幅增強型信號傳輸電路，其特征是：包括一個電荷傳輸MOSFET管S、一個負電壓傳輸MOSFET管B、一個電壓開關K、一個負電壓產(chǎn)生電路、一個正負電壓時鐘產(chǎn)生電路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、PMOS管M3、第一電容C1和第二電容C2；

對應連接關系為：第一NMOS管M1的柵端連接到電荷待傳輸節(jié)點Ni，即電荷傳輸MOSFET管S的源極；第一NMOS管M1的源端和襯底連接到地電平，第一NMOS管M1的漏端連接到第二NMOS管M2的源端；第二NMOS管M2的漏端連接到PMOS管M3的漏端和電荷傳輸MOSFET管S的柵端，第二NMOS管M2的柵端連接到第一偏置電壓，第二NMOS管M2的襯底接地電平；PMOS管M3的柵端連接到第二偏置電壓，PMOS管M3的源端和襯底連接到電源電壓；電荷傳輸目標節(jié)點No，即電荷傳輸MOSFET管S的漏極，通過第二電容C2接電荷傳輸控制信號Ck1n；電荷待傳輸節(jié)點Ni通過第一電容C1接電荷傳輸控制信號Ck1；電荷傳輸MOSFET管S的襯底連接到電壓開關K的上端，電荷傳輸MOSFET管S的襯底還連接到負電壓傳輸MOSFET管B的漏端；電壓開關K的下端接地電平，其導通和關斷受電荷傳輸控制信號Ck1控制；負電壓傳輸MOSFET管B的襯底和源端連接到負電壓產(chǎn)生電路的輸出端，負電壓傳輸MOSFET管B的柵端連接到正負電壓時鐘產(chǎn)生電路的輸出端；負電壓產(chǎn)生電路的第一和第二輸入端分別連接電荷傳輸控制信號Ck1和電荷傳輸控制信號Ck1n，正負電壓時鐘產(chǎn)生電路的第一和第二輸入端分別連接電荷傳輸控制信號Ck1和電荷傳輸控制信號Ck1n。

2.根據(jù)權利要求1所述輸入信號擺幅增強型信號傳輸電路，其特征在于所述電荷傳輸目標節(jié)點No的最大信號擺幅遵循如下關系式：

V’_A＝V_Ck1n-V_DS；

其中，V’_A為電荷傳輸目標節(jié)點No的信號擺幅；V_DS為電荷傳輸結束時電荷傳輸MOSFET管S的源和漏端的壓差；V_Ck1n為電荷傳輸控制信號Ck1n的高電平電壓。

3.根據(jù)權利要求1所述輸入信號擺幅增強型信號傳輸電路，其特征在于：當進行電荷傳輸時，所述負電壓傳輸MOSFET管B的柵極接高電平，負電壓傳輸MOSFET管B處于導通狀態(tài)，所述電荷傳輸MOSFET管S的襯底接負電壓；當電荷傳輸結束后，所述負電壓傳輸MOSFET管B的柵極接負電壓，所述負電壓傳輸MOSFET管B處于關斷狀態(tài)，所述電荷傳輸MOSFET管S的襯底接地電平；

其中，所述高電平為大于零電位的正電壓；所述地電平為零電位；所述負電位為小于地電平的負電壓。