[發明專利]一種LED外延片的無損測試裝置及測試方法

在審

• 申請號: 201710775732.1
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN109444701A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 曹志芳;單立英;任忠祥;吳金鳳;肖成峰
• 申請（專利權）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/44
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 楊樹云

1.一種LED外延片的無損測試裝置，其特征在于，包括電流源及連接所述電流源的N極測試針、P極測試針，所述N極測試針、P極測試針的針頭外包有焊錫、銦粒混合的銦錫方塊，所述銦錫方塊的高度h的取值范圍為a≤h≤b，a是指LED外延片中N型GaN層下表面及其下面所有層的厚度和，b是指LED外延片中N型GaN層上表面及其下面所有層的厚度和。

2.根據權利要求1所述的一種LED外延片的無損測試裝置，其特征在于，所述銦錫方塊中焊錫、銦粒的質量比例為(4:3)-(3:1)。

3.根據權利要求1所述的一種LED外延片的無損測試裝置，其特征在于，所述銦錫方塊中焊錫、銦粒的質量比例為3:2。

4.根據權利要求1所述的一種LED外延片的無損測試裝置，其特征在于，所述電流源為0-500mA直流電流源。

5.根據權利要求1所述的一種LED外延片的無損測試裝置，其特征在于，所述N極測試針、P極測試針均為彎折形。

6.根據權利要求1所述的一種LED外延片的無損測試裝置，其特征在于，所述銦錫方塊為立方體。

7.根據權利要求1所述的一種LED外延片的無損測試裝置，其特征在于，所述N極測試針、P極測試針通過以下方法制得，包括：

A、在186℃-200℃溫度條件下，將焊錫、銦粒按照質量比例(4:3)-(3:1)進行加熱熔合；

B、將熔合后的焊錫、銦粒置于模具容器中；模具容器的高度為h；

C、待熔合后的焊錫、銦粒降溫至100℃-110℃時，將N極測試針或P極測試針的針頭插入熔合后的焊錫、銦粒中；

D、待熔合后的焊錫、銦粒降溫至22℃-38℃時，得到所述N極測試針、P極測試針。

8.權利要求1-7任一所述的LED外延片的無損測試裝置的測試方法，其特征在于，包括步驟如下：

(1)將LED外延片吸附在基座上；

(2)將所述N極測試針的銦錫方塊緊貼到LED外延片解理邊的側面，將所述P極測試針的銦錫方塊接觸LED外延片表面任意位置；

(3)設置好針壓參數，針壓是指N極測試針或P極測試針壓到LED外延片表面的壓力，針壓參數的取值范圍為2-3g，進行電性參數測試。