[發明專利]一種電鍍廢水深度除氟系統及方法

在審

• 申請號: 201710774062.1
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107487939A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 龔波;楊檉瀚;林貴彪;鄒麗娜
• 申請（專利權）人: 惠州金茂源環保科技有限公司
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14;C02F101/14;C02F103/16
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司44245
• 代理人: 蔣劍明

技術領域

本發明涉及電鍍廢水處理技術領域，特別是涉及一種電鍍廢水深度除氟系統及方法。

背景技術

電鍍是利用電化學的方法對金屬和非金屬表面進行裝飾、防護及獲得某些新的性質的一種工藝過程，為保證電鍍產品的質量，使金屬鍍層具有平整光滑的良好外觀并與基體牢固結合，必須在鍍前把鍍件表面上的污物(油、銹、氧化皮等)徹底清洗干凈，并在鍍后把鍍件表面的附著液清洗干凈。因此，一般電鍍生產過程中必然排出大量的廢水。電鍍廢水的水質、水量與電鍍生產的工藝條件、生產負荷、操作管理與用水方式等因素有關。電鍍廢水的水質復雜，成分不易控制，其中含有的鉻、銅、鎳、鋅、金、銀、鎘等重金屬離子和氰化物等毒性較大，有些屬于致癌、致畸、致突變的劇毒物質，對人類危害極大。

近年來，隨著人們對環境生活質量要求的日益提高以及國家對環保重視的力度不斷加強，對電鍍廢水的處理及排放日趨嚴格，廢水回收要求也逐漸提高，環保已成為電鍍企業生存和發展的首要前提，國家通過出臺一系列政策措施和管理辦法，也表達了對電鍍廢水處理的決心。

未來的發展是要將電鍍企業納入統一管理，園區內電鍍企業廢水集中處理的園區經營模式，而如何解決電鍍廢水處理問題是每個電鍍園區必須首先考慮的首要問題，一方面是提高電鍍的工藝水平，多采用低污染、少污染的電鍍工藝，另一方面，結合現代電鍍廢水處理工藝發展，包括分流治理技術、廢水回用技術、金屬回收利用技術、零排放技術等，提高電鍍廢水的處理水平，減少排入環境中污染物的量。

經過調查發現：在國內電鍍園區廢水處理中，COD、總氮、氨氮、總磷、等生化指標的長期穩定達標仍是需要突破的一大難題。因為園區電鍍企業電鍍工藝各異，所使用的電鍍藥劑各異，水質十分復雜。目前，電鍍工業園區的鋁合金與鋅合金企業數量急劇增加，而且大量使用高濃度氫氟酸、氟化氫銨、氟化銨對產品進行酸洗，企業排出廢水氟離子濃度偏高，增加廢水處理成本，導致氟化物難以達標排放。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術中的不足之處，提供一種電鍍廢水深度除氟系統及方法，這種電鍍廢水深度除氟系統及方法可以對電鍍廢水進行有效的除磷和除氟處理，既節省成本，又能提高電鍍廢水處理效率，且除氟效果理想，達到污水排放標準，節省了電鍍過程中的污水處理成本。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

一種電鍍廢水深度除氟系統，包括依次連接的生化處理單元、深度除氟單元；

所述的生化處理單元包括依次連接的活性污泥系統、中沉池和二沉池；

所述的深度除氟單元包括依次連接的吸附沉淀池、一次沉淀池、無機鋁鹽反應池和二次沉淀池；

所述的一次沉淀池的工藝參數為：投放氧化鈣，控制所述的一次沉淀池內溶液的pH值＝7.0，并投放聚丙烯酰胺水溶液，聚丙烯酰胺和水的質量比為(1～3)：1000；

所述的二次沉淀池的工藝參數為：投放氧化鈣，控制所述的二次沉淀池內溶液的pH值＝11.0，并投放聚丙烯酰胺水溶液，聚丙烯酰胺和水的質量比為(1～3)：1000。

在其中一些實施例中，所述活性污泥系統的工藝參數為：該活性污泥系統包括厭氧-缺氧-好氧池、缺氧-好氧池；所述厭氧-缺氧-好氧池包括厭氧池、一段缺氧池、一段好氧池；所述缺氧-好氧池包括二段缺氧池、二段好氧池；控制系統pH值≥7.0，所述厭氧-缺氧-好氧池的內回流為250～450％，外回流為100～150％；所述厭氧-缺氧-好氧池的厭氧池的pH值為6.5～8.0，溶解氧DO<0.2mg/L，水利停留時間為1.54h；所述厭氧-缺氧-好氧池的一段缺氧池的pH值為7.0～8.0，溶解氧DO<0.5mg/L，水利停留時間為5.8h；所述厭氧-缺氧-好氧池的一段好氧池的pH值為7.5～8.5，溶解氧DO為2～3mg/L，水利停留時間為7.65h；所述厭氧-缺氧-好氧池的污泥濃度為2500～3000mg/L，污泥沉降比為20～25wt％，污泥齡為10～20天。

在其中一些實施例中，所述缺氧-好氧池的二段缺氧池的pH值為7.0～8.0，溶解氧DO<0.5mg/L，水利停留時間為2h；所述缺氧-好氧池的二段好氧池的pH值為7.5～8.5，溶解氧DO為1.8～2.5mg/L，水利停留時間為5.8h；所述缺氧-好氧池的污泥濃度為2500～3000mg/L，污泥沉降比為20～25wt％，污泥齡為20～30天。