[發明專利]氣相沉積爐的均勻供氣裝置及氣相沉積爐有效
| 申請號: | 201710773743.6 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN109423623B | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 鞠濤;張立國;李哲;范亞明;張澤洪;張寶順 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 南京艾普利德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人: | 陸明耀 |
| 地址: | 215125 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 均勻 供氣 裝置 | ||
1.氣相沉積爐的均勻供氣裝置,其特征在于:包括至少一條呈T字形的勻氣管路(1201),所述勻氣管路(1201)上的一組出氣孔(1205)的朝向與反應氣體的上升方向相反且背向工件;所述勻氣管路(1201)包括氣體導入管(1202),所述氣體導入管(1202)的一端連接有三通過渡接頭(1203),所述三通過渡接頭(1203)共軸的兩個接口分別連接一勻氣管(1204),所述勻氣管(1204)上設置所述出氣孔(1205);所述勻氣管路(1201)為至少兩條且平行設置,每條勻氣管路(1201)與一個用于放置工件并驅動工件自轉的驅動機構對應,每條所述勻氣管路(1201)分別連接供氣管路(170),所述供氣管路(170)至少包括液態反應源供應管路(1701)以及載氣供應管路(1702),它們均連接混合裝置(1703)且通過所述混合裝置(1703)將液態反應源氣化并與載氣混合,所述混合裝置(1703)連接并聯的供氣支路(1704)及穩壓管路(1705),所述供氣支路(1704)包括一組并聯的且分別與一條勻氣管路(1201)連接的供氣分路;每個供氣分路單獨調整與其連接的勻氣管路(1201)的反應氣體供應量。
2.根據權利要求1所述的氣相沉積爐的均勻供氣裝置,其特征在于:所述載氣供應管路(1702)包括并聯的氬氣供應支路和氫氣供應支路。
3.根據權利要求1所述的氣相沉積爐的均勻供氣裝置,其特征在于:所述供氣支路(1704)的外周設置有加熱帶(1706)。
4.根據權利要求1所述的氣相沉積爐的均勻供氣裝置,其特征在于:所述混合裝置是液體蒸發器控制系統。
5.根據權利要求1-4任一所述的氣相沉積爐的均勻供氣裝置,其特征在于:所述穩壓管路(1705)至少包括管道上依次設置的第一閥們、泄壓閥(C5)、第二閥門及抽氣泵。
6.氣相沉積爐,包括真空室(8),其特征在于:所述真空室(8)包括圓柱形的真空室主體(81)以及位于所述真空室主體(81)的兩個圓形開口處的密封門(82),所述真空室主體(81)的外圓周面連接支架(9),還包括權利要求1-5任一所述的均勻供氣裝置。
7.根據權利要求6所述的氣相沉積爐,其特征在于:所述勻氣管路(1201)的出氣孔(1205)均位于所述真空室(8)內的石墨氈材料的保溫箱(11)中。
8.根據權利要求6所述的氣相沉積爐,其特征在于:所述真空室(8)內設置有工件驅動組件(10),所述工件驅動組件(10)包括至少一對配合支撐并驅動工件自轉,且持續改變與工件接觸位置的第一轉盤(2)和第二轉盤(3),所述第一轉盤(2)和第二轉盤(3)的對數 與所述勻氣管路(1201)相同,且一對第一轉盤(2)和第二轉盤(3)位于一條勻氣管路(1201)上方。
9.根據權利要求8所述的氣相沉積爐,其特征在于:所述第一轉盤(2)和第二轉盤(3)相同且它們中的一個連接驅動其繞其中心軸自轉的驅動裝置,它們均包括至少一個內凹于它們的圓周面且寬度相同的卡槽(7),所述卡槽(7)包括具有深度差的淺槽區(71)和深槽區(72)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





