[發(fā)明專利]含有半導(dǎo)體納米晶體的發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710772330.6
• 申請(qǐng)日: 2006-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN107507895B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 芒吉.G.巴溫迪;弗拉迪米爾.布洛維克;塞思.科-沙利文;讓-米歇爾.卡魯奇;喬納森.斯特克爾;亞歷克西.阿蘭戈;喬納森.E.哈爾珀特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 麻省理工學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/36;H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 宋莉

1.發(fā)光器件，包括：

包括第一無機(jī)材料的第一電荷傳輸層，其與第一電極接觸，該第一電極被布置以在該第一電荷傳輸層中引入電荷；

第二電極；和

布置在該第一電極和第二電極之間的多個(gè)膠體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體納米晶體，其中所述多個(gè)膠體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體納米晶體與所述第一電荷傳輸層電接觸；和

鄰近納米晶體的輕微摻雜層，以使非輻射損失最小化，該損失是由于通過電荷傳輸層中的無束縛的電荷載流子的激子猝滅引起的，其中第一電荷傳輸層由金屬氧化物組成，且該金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鈦、氧化鈮、氧化銦錫、氧化銅、氧化鎳、氧化釩、氧化鉻、氧化銦、氧化錫、氧化鎵、氧化錳、氧化鐵、氧化鈷、氧化鋁、氧化鉈、氧化鉛、氧化鋯、氧化鉬、氧化鉿、氧化鉭、氧化鎢、氧化鎘、氧化銥、氧化銠、氧化釕、和氧化鋨，且所述金屬氧化物為摻雜的金屬氧化物，其中摻雜是氧缺陷、鹵素?fù)诫s物或混合的金屬。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括與該第二電極接觸的第二電荷傳輸層，其中第二電極被布置以在該第二電荷傳輸層中引入電荷。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中該第一無機(jī)材料是無定形的或多晶的。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中該第一無機(jī)材料是無機(jī)半導(dǎo)體。

5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中該第二電荷傳輸層包括第二無機(jī)材料。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中該第二無機(jī)材料是無定形的或多晶的。

7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中該第二無機(jī)材料是無機(jī)半導(dǎo)體。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中多個(gè)半導(dǎo)體納米晶體形成單層。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中多個(gè)半導(dǎo)體納米晶體是半導(dǎo)體納米晶體的基本上單分散群體。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中該器件是透明的。

11.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中該無機(jī)半導(dǎo)體包括摻雜物。

12.含有多個(gè)如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的顯示器。