[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710771489.6
• 申請(qǐng)日: 2017-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN109273433B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬厚德;史朝文;張守仁;莊南卿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/66
• 分類號(hào): H01L23/66;H01L23/31;H01Q1/22;H01Q1/38
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發(fā)明實(shí)施例是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種封裝結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)管芯、天線元件以及至少一個(gè)層間穿孔。所述天線元件位于所述至少一個(gè)管芯上。所述至少一個(gè)層間穿孔位于所述天線元件與所述至少一個(gè)管芯之間，其中所述天線元件經(jīng)由所述至少一個(gè)層間穿孔電連接到所述至少一個(gè)管芯。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

通常可以在整片半導(dǎo)體晶片上制造半導(dǎo)體裝置和集成電路。在晶片層級(jí)工藝中，針對(duì)晶片中的管芯進(jìn)行加工處理，并且可以將管芯與其他的半導(dǎo)體元件(例如，天線)一起封裝。目前各方正努力開發(fā)適用于晶片級(jí)封裝的不同技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)管芯、天線元件以及至少一個(gè)層間穿孔。所述天線元件位于所述至少一個(gè)管芯上。所述至少一個(gè)層間穿孔位于所述天線元件與所述至少一個(gè)管芯之間，其中所述天線元件經(jīng)由所述至少一個(gè)層間穿孔電連接到所述至少一個(gè)管芯。

附圖說明

結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說明，會(huì)最好地理解本發(fā)明實(shí)施例的各個(gè)方面。應(yīng)注意，根據(jù)本行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征并非按比例繪制。事實(shí)上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A至圖1H是根據(jù)一些本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中的各階段的示意性剖視圖。

圖2A至圖2N是根據(jù)一些本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中的各階段的示意性剖視圖。

圖3是說明圖2B所繪示層間穿孔壁與第二重布線層之間的相對(duì)位置的示意性俯視圖。

圖4是說明圖2M所繪示層間穿孔壁與第二金屬圖案之間的相對(duì)位置的示意性俯視圖。

圖5是說明根據(jù)一些本發(fā)明實(shí)施例的層間穿孔壁與第二金屬圖案之間的相對(duì)位置的示意性俯視圖。

圖6是說明根據(jù)一些本發(fā)明實(shí)施例的接地平面部分的示意性俯視圖。

[符號(hào)的說明]

10、20：封裝結(jié)構(gòu)；

112、212：載體；

114、214：剝離層；

116：介電層；

120：層間穿孔；

130、230、230a、230b：模制化合物；

140：第一重布線層；

142、242：聚合物介電層；

144、244：金屬層；

150：球下金屬(UBM)圖案；

152：連接墊；

160：導(dǎo)電元件；

170：管芯；

170a：有源表面；

170b：墊；

170c：鈍化層；

170d：導(dǎo)電柱；

170e：保護(hù)層；

180：頂蓋層；

180a：頂蓋層的表面/第一側(cè)；

180b：頂蓋層的表面/第二側(cè)；

181：粘合劑層；

182：第一金屬圖案；

184：第二金屬圖案；