[發明專利]封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710771489.6
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN109273433B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 萬厚德;史朝文;張守仁;莊南卿
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L23/31;H01Q1/22;H01Q1/38
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

至少一個管芯；

天線元件，位于所述至少一個管芯上方；以及

層間穿孔壁，位于所述天線元件與所述至少一個管芯之間，其中所述層間穿孔壁連接到所述天線元件，空氣腔位于所述天線元件與所述至少一個管芯之間且被所述層間穿孔壁環繞，且所述天線元件電連接到所述至少一個管芯。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，進一步包括：

第一重布線層，連接到所述至少一個管芯；

第二重布線層，位于所述至少一個管芯上，其中所述至少一個管芯位于所述第一重布線層與所述第二重布線層之間；以及

至少兩個層間穿孔，連接到所述第一重布線層及所述第二重布線層且排列在所述至少一個管芯旁邊，

其中所述天線元件經由所述層間穿孔壁、所述第二重布線層、所述至少兩個層間穿孔、及所述第一重布線層電連接到所述至少一個管芯。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，進一步包括模制化合物，其中所述天線元件、所述層間穿孔壁、所述至少一個管芯、所述第二重布線層及所述至少兩個層間穿孔被模制在所述模制化合物中，其中所述層間穿孔壁的內側壁、被所述層間穿孔壁的所述內側壁環繞且面朝所述至少一個管芯的所述天線元件的表面、以及被所述層間穿孔壁的所述內側壁環繞且面朝所述天線元件的所述第二重布線層的表面不含所述模制化合物。

4.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，進一步包括：

多個導電元件，連接到所述第一重布線層，其中所述第一重布線層位于所述多個導電元件與所述至少一個管芯之間。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，進一步包括：

頂蓋層，位于所述天線元件上，其中所述天線元件位于所述頂蓋層與所述層間穿孔壁之間；以及

金屬環形結構，設置在與所述天線元件相對的所述頂蓋層的表面上，其中所述金屬環形結構位于所述層間穿孔壁之上，且所述金屬環形結構的形狀對應于所述層間穿孔壁的形狀。

6.一種封裝結構，其特征在于，包括：

第一模制化合物及位于所述第一模制化合物上的第二模制化合物；

半導體管芯，模制在所述第一模制化合物中；以及

層間穿孔壁，位于所述半導體管芯上并電連接至所述半導體管芯，所述層間穿孔壁包括具有內表面與相對于所述內表面的外表面的環形形狀，其中所述層間穿孔壁模制在所述第二模制化合物中，且空腔位于所述層間穿孔壁內并被所述內表面環繞。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述層間穿孔壁具有包括連續結構的所述環形形狀。

8.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述層間穿孔壁具有包括多個空隙的非連續結構的所述環形形狀。

9.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述層間穿孔壁的所述內表面不接觸所述第二模制化合物，且所述層間穿孔壁的所述外表面被所述第二模制化合物包繞。

10.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，進一步包括位于所述半導體管芯之上并與所述半導體管芯電連接的天線元件，其中所述天線元件包括第一部分、第二部分及連接所述第一部分與所述第二部分的第三部分，其中所述天線元件的所述第一部分位于所述空腔內且不接觸所述第一模制化合物，所述天線元件的所述第二部分連接至所述層間穿孔壁且不接觸所述第一模制化合物，所述天線元件的所述第三部分模制于所述第二模制化合物中且不接觸所述第一模制化合物。