[發明專利]一種擴散方阻異常硅片的處理工藝

有效

• 申請號: 201710763100.3
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107546117B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 郭飛;彭平;夏中高;顧鵬
• 申請（專利權）人: 平煤隆基新能源科技有限公司;中國平煤神馬能源化工集團有限責任公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L21/311;H01L31/18
• 代理公司: 鄭州科維專利代理有限公司 41102
• 代理人: 王理君

1.一種擴散方阻異常硅片的處理工藝，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：篩選擴散后方阻≥110Ω的單晶硅片；

步驟2：將步驟1中的單晶硅片導入硅片花籃，配置濃度為5%-20%的HF溶液，對單晶硅片進行酸洗5-15min，去除單晶硅片表面的磷硅玻璃層；

步驟3：酸洗后通過自動化倒片機將步驟2的單晶硅片導入石英舟，進行回爐擴散，在爐中的補擴工藝方案如下：

沉積：將擴散爐溫度升至500~900℃，通入氮氣、氧氣和三氯氧磷氣體，其中氮氣流量為50-2000ml/min，氧氣流量為100-1000 ml/min，三氯氧磷流量100-200 ml/min，持續2-10分鐘；

推進：停止通入三氯氧磷，繼續通入氮氣和氧氣，其中氧氣流量不變，將氮氣流量改為30-1000ml/min，持續1-5分鐘；

再次沉積：重新通入三氯氧磷，繼續通入氮氣和氧氣，其中氧氣流量不變，三氯氧磷流量為30-100 ml/min，氮氣流量為50-3000ml/min，持續2-6分鐘；

再次推進：停止通入三氯氧磷，繼續通入氮氣和氧氣，其中氧氣流量不變，將氮氣流量改為30-500ml/min，持續1-5分鐘后，完成單晶硅片的回爐擴散。

2.根據權利要求1所述的一種擴散方阻異常硅片的處理工藝，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：篩選擴散后方阻≥110Ω的單晶硅片；

步驟2：將步驟1中的單晶硅片導入硅片花籃，配置濃度為5%-20%的HF溶液，對單晶硅片進行酸洗5-15min，去除單晶硅片表面的磷硅玻璃層；

步驟3：酸洗后通過自動化倒片機將步驟2的單晶硅片導入石英舟，進行回爐擴散，在爐中的補擴工藝方案如下：

沉積：將擴散爐溫度升至700℃，通入氮氣、氧氣和三氯氧磷氣體，其中氮氣流量為1000ml/min，氧氣流量為600 ml/min，三氯氧磷流量150 ml/min，持續6分鐘；

推進：停止通入三氯氧磷，繼續通入氮氣和氧氣，其中氧氣流量不變，將氮氣流量改為500ml/min，持續3分鐘；

再次沉積：重新通入三氯氧磷，繼續通入氮氣和氧氣，其中氧氣流量不變，三氯氧磷流量為50 ml/min，氮氣流量為2000ml/min，持續4分鐘；

再次推進：停止通入三氯氧磷，繼續通入氮氣和氧氣，其中氧氣流量不變，將氮氣流量改為300ml/min，持續3分鐘后，完成單晶硅片的回爐擴散。