[發(fā)明專利]蒸鍍掩膜板及蒸鍍裝置、蒸鍍工藝及測試膜層厚度的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710757187.3 | 申請日: | 2017-08-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107557732B | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程磊磊;彭銳;周斌;王慶賀 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/14;C23C14/24;H01L51/56;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸鍍 溫度監(jiān)控裝置 膜層 監(jiān)控區(qū)域 掩膜板 沉積 控制窗口 蒸鍍材料 蒸鍍裝置 測試膜 層厚度 測試電流 測試電壓 檢測電極 可測試 蒸鍍源 膜厚 預(yù)設(shè) | ||
1.一種蒸鍍掩膜板,所述蒸鍍掩膜板應(yīng)用于依次沉積M種蒸鍍材料,每種所述蒸鍍材料放置在不同的蒸鍍源中,每種所述蒸鍍材料的蒸鍍溫度的區(qū)間無交集,M為大于1的正整數(shù);所述蒸鍍掩膜板包括掩膜板本體;其特征在于,所述蒸鍍掩膜板還包括:
設(shè)置在所述掩膜板本體朝向所述蒸鍍源的第一表面上的M組溫度監(jiān)控裝置;每組所述溫度監(jiān)控裝置至少包括一個(gè)所述溫度監(jiān)控裝置;
設(shè)置在所述第一表面上呈凹陷的與每個(gè)所述溫度監(jiān)控裝置一一對應(yīng)的膜層監(jiān)控區(qū)域;
設(shè)置在每個(gè)所述膜層監(jiān)控區(qū)域上的控制窗口;
設(shè)置在每個(gè)所述膜層監(jiān)控區(qū)域內(nèi)的檢測電極對,用于獲取沉積到所述膜層監(jiān)控區(qū)域內(nèi)的膜層在測試電壓下的測試電流值;
每組所述溫度監(jiān)控裝置用于當(dāng)設(shè)定的一預(yù)設(shè)溫度的區(qū)間包含所述溫度監(jiān)控裝置獲取到的所述蒸鍍溫度時(shí),控制對應(yīng)的所述膜層監(jiān)控區(qū)域上的所述控制窗口打開,以使具有所述蒸鍍溫度的所述蒸鍍源蒸發(fā)出的所述蒸鍍材料沉積在露出的所述膜層監(jiān)控區(qū)域內(nèi);其中,
M組所述溫度監(jiān)控裝置與M種所述蒸鍍材料一一對應(yīng),且每組所述溫度監(jiān)控裝置的所述預(yù)設(shè)溫度的區(qū)間僅包含對應(yīng)的一種所述蒸鍍材料的所述蒸鍍溫度;
或者,M組所述溫度監(jiān)控裝置包括:第一類型的M1組所述溫度監(jiān)控裝置和第二類型的(M-M1)組所述溫度監(jiān)控裝置,1≤M1<M;所述M1組中的任意一組所述溫度監(jiān)控裝置的所述預(yù)設(shè)溫度的區(qū)間包含N種所述蒸鍍材料的所述蒸鍍溫度,2≤N≤M,則其中(N-1)種所述蒸鍍材料在所述第二類型的(M-M1)組所述溫度監(jiān)控裝置中均有一一對應(yīng)的一組所述溫度監(jiān)控裝置,且每組所述溫度監(jiān)控裝置的所述預(yù)設(shè)溫度的區(qū)間僅包含對應(yīng)的一種所述蒸鍍材料的所述蒸鍍溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,每個(gè)所述溫度監(jiān)控裝置包括:溫度感應(yīng)單元和處理單元;
所述溫度感應(yīng)單元用于獲取所述掩膜板本體下方的所述蒸鍍溫度,并向所述處理單元發(fā)送包含獲取到的所述蒸鍍溫度的感應(yīng)信息;
所述處理單元用于對接收到的所述感應(yīng)信息進(jìn)行處理,并向與所述溫度監(jiān)控裝置對應(yīng)的所述控制窗口發(fā)出反饋信息;
所述控制窗口根據(jù)接收到的所述反饋信息作出打開或關(guān)閉的反應(yīng);
其中,當(dāng)所述處理單元判斷所述預(yù)設(shè)溫度的區(qū)間包含所述蒸鍍溫度時(shí),所述反饋信息包括開啟信息;當(dāng)所述處理單元判斷所述預(yù)設(shè)溫度的區(qū)間不包含所述蒸鍍溫度時(shí),所述反饋信息包括關(guān)閉信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,在多種所述蒸鍍材料均為有機(jī)材料的情況下,所述檢測電極對包括:相對設(shè)置的兩個(gè)交叉指型電極,且所述兩個(gè)交叉指型電極的交叉部分具有間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,在多種所述蒸鍍材料均為金屬材料的情況下,所述檢測電極對包括:相對設(shè)置的兩個(gè)條形電極,且所述兩個(gè)條形電極分別位于所述膜層監(jiān)控區(qū)域的相對的兩個(gè)邊緣處。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,所述掩膜板本體包括:開口部分和架設(shè)在所述開口部分內(nèi)的支撐條。
6.一種蒸鍍裝置,包括放置在不同蒸鍍區(qū)域內(nèi)的M個(gè)蒸鍍源;每個(gè)所述蒸鍍源放置不同的蒸鍍材料,每種所述蒸鍍材料的蒸鍍溫度的區(qū)域無交集,M為大于1的正整數(shù);其特征在于,所述蒸鍍裝置還包括:設(shè)置在所述蒸鍍源蒸發(fā)方向上方的如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的蒸鍍掩膜板。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





