[發(fā)明專利]增進微影可印性的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710757121.4
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107885043B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃旭霆;周碩彥;劉如淦
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種用于增進微影可印性的方法，包括下列步驟：

接收一集成電路設(shè)計布局；以及

使用該集成電路設(shè)計布局，進行一光源電子束最佳化制程以產(chǎn)生一掩模射域圖以及一照射光源圖，其中該光源電子束最佳化制程使用一光源電子束最佳化模型，該光源電子束最佳化模型同時共同使用該掩模射域圖模擬一掩模制作制程以及使用該照射光源圖模擬一晶圓制作制程，

其中該光源電子束最佳化制程產(chǎn)生該掩模射域圖與該照射光源圖，使一預(yù)測最終晶圓圖案與一目標晶圓圖案之間的差異最小化，

其中該光源電子束最佳化模型產(chǎn)生該預(yù)測最終晶圓圖案作為模擬的該掩模制作制程與模擬的該晶圓制作制程的函數(shù)如下表示：

P(x,y)＝Γ(I(S(x,y),Φ(mf(x,y))) )

其中P(x，y)是該預(yù)測最終晶圓圖案，其定義在由模擬的該晶圓制作制程所產(chǎn)生的一晶圓材料層中形成的一最終晶圓圖案的輪廓，

Γ是一晶圓圖案化函數(shù)，其定義與模擬的該晶圓制作制程相關(guān)的一微影制程的多個微影制程特性，

I是一投影晶圓圖像函數(shù)，其定義在與該微影制程相關(guān)的一曝光制程期間在一光致抗蝕劑層上的一掩模的一圖像，

S(x，y)是該照射光源圖，其定義用以在模擬的該晶圓制作制程期間照射該掩模的多個照射光源光學件，

Φ是一掩模圖案化函數(shù)，其定義與模擬的該掩模制作制程相關(guān)的多個微影制程特性，

m_f(x，y)是該掩模射域圖，其定義用以在模擬的該掩模制作制程期間制作該掩模的一曝光圖案，

其中該光源電子束最佳化模型系用于該光源電子束最佳化制程期間，以定義使預(yù)測的該最終晶圓圖案與該目標晶圓圖案之間的差異最小化的一最佳化問題，如下式所示：

其中P是該預(yù)測最終晶圓圖案，并且T基于該集成電路設(shè)計布局定義該目標晶圓圖案的輪廓。

2.如權(quán)利要求1所述的用于增進微影可印性的方法，其中該光源電子束最佳化制程從模擬的該掩模制作制程與模擬的該晶圓制作制程中產(chǎn)生該預(yù)測最終晶圓圖案，并且該目標晶圓圖案由該集成電路設(shè)計布局定義。

3.如權(quán)利要求2所述的用于增進微影可印性的方法，該光源電子束最佳化制程包括調(diào)整該掩模射域圖與該照射光源圖，直到該預(yù)測最終晶圓圖案與該目標晶圓圖案之間達到一預(yù)期匹配度為止。

4.如權(quán)利要求1所述的用于增進微影可印性的方法，還包括使用該掩模射域圖制作該掩模，其中該掩模包括對應(yīng)于與該掩模射域圖相關(guān)的一掩模圖案的一最終掩模圖案，并且該掩模圖案對應(yīng)于由該集成電路設(shè)計布局定義的該目標晶圓圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的用于增進微影可印性的方法，其中該掩模射域圖為一電子束照射圖，并且該制作該掩模的步驟包括使用該電子束照射圖進行一電子束微影制程。

6.如權(quán)利要求5所述的用于增進微影可印性的方法，還包括通過將該集成電路設(shè)計布局切割成多個掩模區(qū)域來產(chǎn)生該掩模圖案，其中該電子束照射圖定義用于圖案化該掩模上的該等掩模區(qū)域的每一者的一曝光劑量及/或一曝光形狀。

7.如權(quán)利要求1所述的用于增進微影可印性的方法，還包括使用該照射光源圖制作一晶圓，其中該晶圓包括對應(yīng)于由該集成電路設(shè)計布局定義的該目標晶圓圖案的該最終晶圓圖案。

8.如權(quán)利要求7所述的用于增進微影可印性的方法，該制作該晶圓的步驟包括進行該曝光制程，該曝光制程利用由該照射光源圖定義的該等照射光源光學件照射該掩模。

9.如權(quán)利要求8所述的用于增進微影可印性的方法，其中在該曝光制程期間使用的該掩模可使用該掩模射域圖來制作。

10.如權(quán)利要求1所述的用于增進微影可印性的方法，其中使用該集成電路設(shè)計布局的一部分來進行該光源電子束最佳化制程，以產(chǎn)生該照射光源圖。