[發明專利]一種半導體器件的制造方法及半導體器件

有效

• 申請號: 201710757078.1
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN109427584B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成柵極堆疊結構；

對所述半導體襯底中臨近所述柵極堆疊結構的區域執行傾斜離子注入工藝，以形成離子注入區；

執行第一LDD注入，以在所述柵極堆疊結構兩側形成有所述離子注入區的所述半導體襯底中形成第一LDD區，其中，所述第一LDD注入包括垂直于所述半導體襯底的第一輕摻雜離子注入工藝；

以所述柵極堆疊結構為掩膜，對所述第一LDD區進行刻蝕，至露出所述半導體襯底；

執行第二LDD注入，以在所述柵極堆疊結構兩側的所述半導體襯底中形成第二LDD區，其中，所述第二LDD注入包括傾斜于所述半導體襯底的第二輕摻雜離子注入工藝；

在所述柵極堆疊結構及第一LDD區兩側形成側壁層；

在所述半導體襯底中形成凹槽；

其中位于淺層的第一LDD區和位于深層的第二LDD區構成所述半導體器件的LDD區，且第一LDD區與第二LDD區呈T形分布。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的頂面不高于所述第一LDD區的底面。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一LDD注入的注入離子包括硼或銦，所述第二LDD注入的注入離子包括硼或銦。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述傾斜離子注入工藝的注入離子包括碳。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成柵極堆疊結構的步驟之后，在所述第一LDD注入的步驟之前，或者在所述第一LDD注入的步驟之后，在對所述第一LDD區進行刻蝕的步驟之前，所述方法還包括在所述柵極堆疊結構兩側的所述半導體襯底上形成偏移側壁的步驟。

6.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

形成在所述半導體襯底上的柵極堆疊結構；

在部分所述柵極堆疊結構下方的所述半導體襯底中形成的離子注入區和第一LDD區；

在所述第一LDD區下方的所述半導體襯底中形成的第二LDD區；和

在所述第二LDD區外側形成的凹槽，所述凹槽橫向呈V型，所述凹槽的頂面不高于所述第一LDD區的底面；所述第二LDD區位于所述第一LDD區和所述橫向呈V型之間，所述第二LDD區端面不超過橫向呈V型尖端面；

其中位于淺層的第一LDD區和位于深層的第二LDD區構成所述半導體器件的LDD區，且第一LDD區與第二LDD區呈T形分布。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一LDD區的注入離子包括硼或銦，所述第二LDD區的注入離子包括硼或銦。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述離子注入區的注入離子包括碳。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括在所述半導體襯底上形成的位于所述柵極堆疊結構兩側的偏移側壁。