[發明專利]一種提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法

有效

• 申請號: 201710755336.2
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107731842B
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 隋翔宇;唐兆云;趙治國;陸智勇;王攀;江潤峰;王香凝;趙新梅;石曉靜;王恩博
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

1.一種提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上形成底部選擇柵極下部氧化物層；

沉積第一層氮化硅，并沉積第一層氧化物層；

在核心區域進行掩膜覆蓋并去除襯底上的第一層氮化硅和第一層氧化物層并停止在襯底表面；

對掩膜覆蓋區域底部的第一層氮化硅進行回刻；

沉積氮化硅保護層；

在核心區域第三層臺階區域外涂覆光刻膠掩膜；

刻蝕，并停止在核心區域的所述第一層氧化物層；

去除所述涂覆光刻膠掩膜，并沉積氮化物-氧化物堆疊結構；

刻蝕所述堆疊結構形成核心區域臺階結構。

2.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，在刻蝕所述堆疊結構形成核心區域臺階結構后還包括在臺階結構上形成柵極線槽并刻蝕所述回刻工藝后核心區域剩余的第一層氮化硅，再形成底部選擇柵極的步驟。

3.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，第一層氧化物層的厚度為

4.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述在核心區域進行掩膜覆蓋的掩膜墊的關鍵尺寸為以第三層臺階結構為基準擴大350nm。

5.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述去除襯底上的第一層氮化硅和第一層氧化物層采用的是干法刻蝕。

6.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述在核心區域進行掩膜覆蓋并去除襯底上的第一層氮化硅和第一層氧化物層并停止在襯底表面步驟之后，在對掩膜覆蓋區域底部的第一層氮化硅進行回刻步驟之前，還包括對核心區域覆蓋的掩膜進行濕法剝離的步驟。

7.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述回刻為采用磷酸進行刻蝕。

8.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述氮化硅保護層為刻蝕阻擋層。

9.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述刻蝕并停止在核心區域的所述第一層氧化物層為采用干法刻蝕。

10.如權利要求1所述的提高底部選擇柵極下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述沉積氮化物-氧化物堆疊結構為先沉積一層的氧化物層再沉積氮化物-氧化物堆疊結構。