[發(fā)明專利]一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710754231.5 | 申請日: | 2017-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN107739073A | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 戴捷;謝遠(yuǎn)莎;胡耀笛;王燕;吳先威;易俊 | 申請(專利權(quán))人: | 長江大學(xué) |
| 主分類號: | C02F1/461 | 分類號: | C02F1/461 |
| 代理公司: | 武漢河山金堂專利事務(wù)所(普通合伙)42212 | 代理人: | 胡清堂 |
| 地址: | 434023 *** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 三維 電化學(xué) 反應(yīng) 裝置 | ||
1.一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:包括一用于放置粒子電極(2)的反應(yīng)裝置殼體(1)、一承托板(3)、四個卡槽(4)、兩個電極保護箱(5)、主電極板(6),所述承托板(3)設(shè)置于所述反應(yīng)裝置殼體(1)下部,使得所述反應(yīng)裝置殼體(1)分為上、下兩層,所述卡槽(4)、所述電機保護機構(gòu)設(shè)置于所述反應(yīng)裝置殼體(1)的上層,且所述反應(yīng)裝置殼體(1)與所述卡槽(4)一體成型;四個所述卡槽(4)兩兩一組分別對稱設(shè)置于所述反應(yīng)裝置殼體(1)的兩個內(nèi)壁上,且對稱位于所述反應(yīng)裝置殼體(1)兩個內(nèi)壁上的一組所述卡槽(4)構(gòu)成一用于配合安裝所述電極保護箱(5)的容納空間7;所述主電極板(6)固定于所述電極保護箱(5)內(nèi),而粒子電極(2)位于所述反應(yīng)裝置殼體(1)內(nèi)并在所述電極保護箱(5)之外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述卡槽(4)包括一連接部(41)、兩個第一凸起部(42),所述連接部(41)將兩個所述第一凸起部(42)連接,且兩個所述第一凸起部(42)對稱設(shè)置于所述連接部(41)左、右兩側(cè),并與所述連接部(41)水平設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述連接部(41)與所述反應(yīng)裝置殼體(1)的側(cè)壁一體成型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述電極保護箱(5)包括:一箱本體(51)、兩個為空腔的第二凸起部(52)、四個凹陷部(53),兩個所述第二凸起部(52)對稱設(shè)置于所述箱本體(51)兩端,且與所述箱本體(51)相通、并一體成型,使得兩個所述第二凸起部(52)之間圍合的空間用于卡緊所述主電極板(6);每個所述第二凸起部(52)沿其長度方向兩側(cè)均相鄰設(shè)置一所述凹陷部(53),使得所述第二凸起部(52)卡合安裝于所述卡槽(4)內(nèi)時,所述凹陷部(53)與所述第一凸起部(42)配合安裝。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述第一凸起部(42)的長度小于等于所述凹陷部(53)的長度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述卡槽(4)的槽長大于所述凹陷部(53)的長度1~3mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述電極保護箱(5)未于所述反應(yīng)裝置殼體(1)相連的側(cè)壁上開設(shè)有多個通孔(54),且所述通孔(54)孔徑小于位于所述反應(yīng)裝置殼體(1)內(nèi)粒子電極(2)的孔徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求4至6任一所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述第一凸起部(42)、所述第二凸起部(52)的高度均等于所述反應(yīng)裝置殼體(1)的頂端面與所述承托板(3)之間的垂直距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求4至6任一所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述第二凸起部(52)的長度等于所述主電極板(6)厚度的3倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述一種三維電化學(xué)反應(yīng)裝置,其特征在于:所述承托板(3)上開設(shè)有多個過孔(31),且所述過孔(31)的孔徑小于粒子電極(2)的直徑。
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